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RIE设备
额外购置昂贵设备，成本因素使其目前难以成为主流产品，仍需2~3年的时间酝酿。
P型单晶产品虽有上述价格、封装成组件损失、光衰等问题，但这些问题在2015年下半都逐渐获得改善。P型单晶电池的价格逐渐
多晶组件主流瓦数约在260W、单晶组件则在270W-275W，故单晶组件实现领跑者计划的需求相对容易、多晶组件则需依赖PERC或RIE等技术方能达标。
目前中国政府已颁布的领跑者计划《大同采煤沉陷区
多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
。
二、铸锭与拉晶成本对比
单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6
晶硅低至少3%以上，单晶硅电站投资回报率（IRR）比多晶电站至少高2.78%。综上所述，单多晶材料性能对比，单晶VS多晶，行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备
缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点，且有多晶金刚线切片制绒技术难题，对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀（RIE）或
金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题，但需要增加额外的设备投资、水电、原料
，行业公认单晶有绝对优势。
二、铸锭与拉晶成本对比
单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流
黑硅技术主要是RIE。但是，RIE黑硅由于需要昂贵的真空设备以及工艺均匀性较差等因素，尚未大规模进入量产。阿特斯历经3年的自主研发，攻克多道技术难关，于2014年12月成功将湿法黑硅技术推广到生产线，实现
可能性的黑硅技术主要是RIE。但是，RIE黑硅由于需要昂贵的真空设备以及工艺均匀性较差等因素，尚未大规模进入量产。阿特斯历经3年的自主研发，攻克多道技术难关，于2014年12月成功将湿法黑硅技术推广到
，RIE黑硅由于需要昂贵的真空设备以及工艺均匀性较差等因素，尚未大规模进入量产。阿特斯历经3年的自主研发，攻克多道技术难关，于2014年12月成功将湿法黑硅技术推广到生产线，实现0.4%（绝对值）的
黑硅电池技术概述早在2004年，日本京瓷公司引入了RIE多晶制绒技术。在2008年，以韩国公司为代表的设备厂家开始在中国推广RIE技术。一些一线电池厂家对该技术也进行过小批量评估，由于较高的工艺成本
ion etching (RIE)、Laser Isolation、Selective Emitter(SE)、Laser Doping、Double Print、Dual Print等各有拥护者，但
Singlus、Levitech、Solaytec、ASM等各种设备，而是选择采用成功量产的厂商所选用的机台，使Meyer Burger成为这波扩厂热潮中最大的赢家。但受限于MeyerBurger机台
过去的技术历史，reactiveionetching(RIE)、LaserIsolation、SelectiveEmitter(SE)、LaserDoping、DoublePrint
扩产不若2014年各间厂商对Centrotherm改机，或尝试Singlus、Levitech、Solaytec、ASM等各种设备，而是选择采用成功量产的厂商所选用的机台，使MeyerBurger成为这
，reactiveionetching（RIE）、LaserIsolation、SelectiveEmitter（SE）、LaserDoping、DoublePrint、DualPrint等各有拥护者，但各项技术
尝试Singlus、Levitech、Solaytec、ASM等各种设备，而是选择采用成功量产的厂商所选用的机台，使MeyerBurger成为这波扩厂热潮中最大的赢家。但受限于MeyerBurger
