PVD沉积系统

2年内，关键设备产能增长3倍，单GW设备投资下降50%，当前1GW设备投资4.5亿不到。目前已实现了PECVD、PVD、印刷测试、自动化、BCS系统的自制，清洗制绒与YAC合作。印刷环节当前受限于浆料
一、未来已来迈为的异质结战略 迈为为什么选择HJT： 1)系统中电池成本占比越来越低，发电量优势越来越重要;2)HJT电池成本进入快速下降通道;3)HJT电池量产效率进入快速上升通道，预估

设备的核心技术，可将沉积温度稳定控制在 200℃以内，进而提高薄膜沉积质量。 自动化方面，自动化系统结构设计灵活，不同的上下料方式可供选择。 Singulus 目前在售 PVD 共三种机型，包括

首家采用国际最先进的清洗制绒机、PECVD非晶镀膜机、PVD沉积导电膜机和电极印刷机，匹配自主研发的高效工艺技术路线，产品三十年无光衰，项目为黑灯柔性智能无人车间，全部采用物联网+管理系统的高智能无人

(HWCVD)，其中本征非晶硅薄膜是 HIT 电池表面的钝化层，沉积后需要掺杂膜层来形成发射极和背表面场。 TCO 薄膜沉积：常用的工艺是磁控溅射(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)，沉积非晶硅薄膜后

兴建，计划总投资15亿元，项目建成后预计年均实现销售收入26亿元，利税突破4亿元。 高登赛1GW高效异质结太阳电池项目，采用国际最先进的清洗制绒机、PECVD非晶硅镀膜机、PVD沉积导电膜机和电极印刷机
，匹配自主研发的高效工艺技术路线，产品30年无光衰。项目还是黑灯柔性智能无人车间，全部采用 物联网+ 管理系统的高智能无人自动化生产线，符合工信部 工业4.0 产业标准。 目前，该项目的工商注册

放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源

)。 HIT投资成本因设备配置变化而改变。其取决的因素包括采用完全进口设备还是部分国产设备;同种工艺选择何种设备，比如非晶硅沉积选择HWCVD还是PECVD，TCO镀膜选择RPD还是PVD。目前，全
的下游是光伏电站系统的集成和运营。 根据Photon Consulting统计结果，在光伏行业各环节中，若以营业利润率进行排序，则有如下顺序：硅片电池片电池系统安装及服务电池组件。同时产业链

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03 物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04 丝网印刷机 正面金属电极制备

非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面金属电极制备 退火 测试和分档
逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。 工艺流程简单 异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面

HELiA PECVD 及沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO)的HELiA PVD 设备来说，藉由四个主要设备来完成八个工艺步骤，使得工艺流程极大地简化，生产场地占地面积大大缩小，其工艺步骤
非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型非晶硅薄膜( p-a-Si:H)。 03、物理气相沉积(PVD) 沉积电池正反面的透明氧化物导电薄膜(TCO) 04、丝网印刷机 正面金属电极制备 反面