一、未来已来—迈为的异质结战略
迈为为什么选择HJT：
1)系统中电池成本占比越来越低，发电量优势越来越重要;2)HJT电池成本进入快速下降通道;3)HJT电池量产效率进入快速上升通道，预估2021年底量产有望达到24.8%-25%，叠层电池效率有望突破30%。HJT是十年长周期的好赛道。
HJT战略第一步：研制大产能CVD、PVD，实现整线设备国产化，打通整线工艺，降低CAPEX。迈为进入2年内，关键设备产能增长3倍，单GW设备投资下降50%，当前1GW设备投资4.5亿不到。目前已实现了PECVD、PVD、印刷测试、自动化、BCS系统的自制，清洗制绒与YAC合作。印刷环节当前受限于浆料，极限速度230mm/s，浆料匹配后印刷速度可达350mm/s，达到M6规格6000片/h产能。
HJT战略第二步：研制半片HJT电池整线设备，实现HJT电池大片化、薄片化、半片化制程。首创实现HJT整线半片化生产，做到相对于全片生产的产能不变。
半片化的必然趋势：半片化变形小，是做大片化和薄片化的基础。大硅片时代，薄片化和半片化是HJT电池量产的必然趋势：1)切损少、CTM高;2)切割隐裂少;3)半片色差效率分档;4)工艺简单;5)减少N型复投料。
HJT战略第三步：研制适用于HJT的新型组件技术，降低银耗量，提升组件功率。SMBB技术：降低pad点面积，让焊带和细栅直接汇联，降低主栅宽度，增加栅线数量，可降低银耗;现在最低耗量128mg，功率比9BB高7-8W;尽可能利用铜线来导电。细栅线对定位要求很高，迈为采用机械+真空定位，设备对准精度达到0.05mm。
HJT战略第四步：开发银包铜浆料，降银耗30%，银耗有望接近PERC。可行性：1)HJT的低温工艺不会导致铜的氧化失效;2)用于HJT电池的银包铜浆料，不会承载大电流(5mA左右);3)HJT电池结构一致了铜在硅中的电迁移效应(铜表面的银是第一层阻隔;银包铜使用片状银粉，因为金字塔结构的存在而不直接接触硅片，接触硅片的是球粉)。KE的银包铜已经快成功了。
叠层电池：钙钛矿/HJT叠层电池既是HJT电池的未来，也是钙钛矿技术的未来：1)HJT电池蓝光响应差，需要顶电池来吸收短波光线;2)HJT电池本身的非晶硅/纳米硅镀膜工艺、ITO镀膜工艺与叠层工艺契合;3)HJT电池的低温、无水工艺工程与钙钛矿技术相匹配;4)钙钛矿技术难以实现组件级别面积的均匀沉积，适合在硅片尺寸级别制备;5)钙钛矿薄膜组件采用ITO进行互联，叠层电池可采用铜焊带互联。
叠层电池目标：2021H1做小尺寸电池;2021H2做全硅片尺寸(电池效率>26%);2022年全硅片尺寸效率>27%，稳定性达到光伏电池IEC标准，研制全套设备;2023年后全硅片尺寸电池效率>28%，提供全套中试产线。
二、迈为HJT2.0异质结电池设备平台
HJT2.0产线指标：
1)硅片适应性：M6-M12、全片和半片;
2)瓶颈工序毛产能：8000片/h@M6、6000片/h@M10、4500片/h@M12;
3)整线标称产能：大于等于400MW;
4)电池转换效率：24.3%;整线良率：97.5%@M10;
5)镀膜顺序：i-i-n-p。最新已验证的效率达到24.61%@9BB。1GW产能标配三条产线(后道5台丝印)。
PECVD参数：1)硅片尺寸：M6-M12;2)载板材质：碳复合材料;3)载板规格：8x8(M6);4)载板清洗方式：RPSC/36小时;5)稼动率：90%;6)碎片率(含自动化)：0.25%@150um;7)节拍时间：29s;8)片内/片间膜厚差：5%/10%。镀膜腔利用率(RF Power-on时间/节拍时间)约为70%，传统镀膜约为40%。
i-in-p镀膜的优点：1)i-p不共用载板，避免硼污染，可以获得更好的钝化效果;2)结区界面处最先得到保护，防止p-side在in镀膜时遭受磷污染;3)相对更高的i-layer沉积温度，获得高质量i层。
三、异质结电池应该有自己的PECVD
HJT非晶硅工艺需求：
1)Buffer layer/i1/i2需要搭配不同的微结构薄膜，硅接触面以松散膜层为主;2)掺杂层多层膜工艺，能更有效地提升电池转换效率;3)随着未来效率目标越来越高，膜层数量和精细结构调整越来越重要。
设备CT需大幅度降低：
1)功能腔专业化：装载、卸载、预热、工艺;
2)传输速度提升;腔体优化设计，容量降低，工艺上减少气氛变化。
载板面积增大：
1)兼顾传输需求、加热需求和大硅片平面接触需求;2)成本低廉、经久耐用;3)保证镀膜均匀性;4)满足以上条件的前提情况下，越大越好。
PECVD大量产下的开机率Uptime>=90%的需求：1)HJT非晶硅镀膜设备需要定期清洗，必须采用在线RPS清洗，否则无法保证开机率和运行成本;2)设计合理的维护时间，采用多腔体、多载板设备，分担腔体和载板的镀膜厚度，消除掉粉和掉渣的问题，使得大产能设备清洗周期和生产节奏相匹配;3)合适的载板设计，保证长时间的生产稳定性和清洗后的快速恢复;4)故障快速排查和恢复。
HJT电池PECVD的技术要点：1)Inline多腔体准动态PECVD镀膜技术;2)分层高品质非晶硅钝化镀膜技术;3)大尺寸、轻载荷、低热膨胀系数、高平面度的复合载板设计;4)PECVD多层布气Shower head放电阴极结构设计;5)Inline磁流体真空传送大尺寸载板;6)RF快速启辉设置及辉光实时监控。
未来迈为PECVD的性能要点：1)针对HJT不同膜层的需求，采用不同的硬件对应;2)微晶/纳米晶薄膜设备定制开发，适应钙钛矿需求。
责任编辑：大禹
