PVD沉积系统
(TM))可以在氮化镓沉淀前，在晶圆上沉积一层高质量的生长型初始层氮化铝。GT 计划将等离子体汽相淀积工具商业化，以配合其正在研发的氢化物气相外延(HVPE)系统，这个组合将可以让LED生产商在图案化
(纳斯达克代码：GTAT)今天宣布已经向Kyma Technologies, Inc.收购其等离子体汽相淀积(PVD)技术及专门知识的独家使用权。Kyma所开发的等离子体汽相淀积柱状纳米技术(PVDNC
沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层，经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示，1~2nm厚的化学
空间，同时，N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。根据国际光伏技术路线图（ITRPV2015）预测：随着电池新技术和工艺的引入，N型单晶电池
的问题在于效率比较低，当时只有6%到10%，还有一个问题有严重的衰减，衰减百分之二三十，寿命也是它的短板，所以这种非晶硅就慢慢退出历史舞台。V族电池那么高的成本只能用在航天上，用在特殊的聚光跟踪的系统
HGT，它把前边电机全部取消，全面背面用一层n型P型，就是把一个立体双机气件，所以它的结构有个巨大的变化，所以我们说这有一些革命性的。另外就是HIT，它是把完全偏节变成了非晶硅的模式，所以整个沉积做
或 PVD 沉积多种单个或多个薄膜堆叠。 OCTOPUS 系统显著地减少了基板的传输，维持正面和背面沉积周期之间的真空连续性。 簇团配置概念(Cluster)的智能利用显著降低了运营成本。 关于
公司表示，该资金数额在数百万瑞士法郎范围内，并将用于进一步验证旗下用于双面沉积工艺的OCTOPUS II / PECVD-PVD集群系统，该系统使用了Mirror Reactor(镜面反应器)，可降低
SiO2，厚度约1~2nm，然后再沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层，经过高温退火后形成掺杂多晶硅，二者共同形成钝化接触结构，最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。背面TopCon结构的隧穿效应示意图
单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。根据国际光伏技术路线图（ITRPV2015）预测：随着电池新技术和工艺的引入，N型单晶电池的效率优势会越来越
符合资格的进展一直顺利进行。在此之前，Intevac曾表示，其预计该设备将迎来太阳能电池生产商的更多订单。 Intevac的MATRIX PVD系统用于先进的N型单晶硅太阳能电池金属化沉积工艺
的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，近日推出全新的Applied Endura CirrusTM HTX物理气相沉积(PVD)*系统，采用突破性硬掩模技术，可
应用，助力光伏产业健康良性发展。
传承了近10年在太阳能行业的经验及技术创新，钧石中国基于对全球光伏行业的深刻领悟，集聚世界级科研人才，深度进入材料、工艺、设备、系统集成等高端研发领域，并于2008年
优势，基于早前多年的设备制造经验，我们相信这套高效单晶异质结生产整线是一款高端的，更具竞争力的产品。王博士说道。
据介绍，这套生产线共分为五大模块，分别是：制绒/清洗、PECVD、PVD、高电导
)新能源科技有限公司（Archers）所设计的线性群集式ALC-PECVD系统所完成，此系统具有平行板电极结构并采用13.56MHz射频电源。入光面沉积本征钝化层（i）并在上面堆叠掺硼的（P）层，背面
