PECVD

摘要针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等)，在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因，利用这些检测手段

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并确定当退火

摘要：等离子化学气相沉积工艺是太阳能电池片制造过程中的重要环节，其SiN膜的质量直接影响着电池片的转换效率和长期可靠性。针对目前面临的检测难题，设计出硅片自动检测系统，以此来达到提高电池片质量及生产效率

摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参

笔者近日从某业内主流电池片厂了解到，深圳丰盛装备股份有限公司生产的新型HPE450型PECVD，量产工艺已取得重大突破!单管装片量达到432片，业内最高;工艺时间缩短到29分钟，远低于行业目前的35~38分钟,业内唯一一家将