LID

技术大幅度提升之外，P5的组件每瓦成本也有了大幅度的降低，这使得P5的LCOE相对P4多晶和单晶PERC更具竞争力。同时，P5组件具有抗LID、抗LeTiD的优势，其应用的MCCE黑硅技术对硅片表面

顺利运行，我们为该项目提供了拥有更佳抗LID、抗LeTID表现的Jaeger组件。由于优化设计，Jaeger组件可降低热斑效应，并减少阴影遮挡对组件发电带来的影响，且具有更低的系统和人力成本，可为

(LID)现象。第一年累计衰减2.5%左右，以后每年衰减不超过0.55%;多晶电池基本不存在LID现象，但是随着光照时间的延长，多晶电池功率持续衰退直至较低水平，通常多晶电池第一年衰减2.5%，以后平均每年

光伏行业的政策，马来西亚是东方日升重要的新兴市场之一。东方日升的Jaeger组件在抗光诱导降解(LID)和抗高温诱导降解(LeTID)方面具有更好的性能，把热斑和阴影对发电的影响降到最低，确保电站平稳运行。

。 目前市场上使用的基于P型掺硼硅片制成的光伏电池，长期受困于初始光致衰减(LID)问题。伴随着近些年PERC电池结构的大规模应用， P型掺硼硅片受LID问题的影响更加严峻。而采用掺镓硅片则可以不受该

运行，我们为该项目提供了拥有更佳抗LID、抗LeTID表现的Jaeger组件。由于优化设计，Jaeger组件可降低热斑效应，并减少阴影遮挡对组件发电带来的影响，且具有更低的系统和人力成本，可为马来西亚

技术的铸锭单晶硅片氧含量约为直拉单晶硅片的40%，光致衰减(LID,LeTID)与常规多晶相当(约0.8%)，比直拉单晶产品低0.5%以上，长期发电量更高。 二是更美外观。铸锭单晶电池采用湿法黑硅技术

，这种缺陷限制了硅太阳能电池的效率。 研究人员采用的多学科实验和理论方法确定了光诱导降解(LID)机制。该团队结合了一种被称为深层瞬态光谱学(deep-level transient, DLTS

组件在约60 ℃的工作环境下，能够比晶硅组件多输出15W的功率。 同时，稳定性较高，能够抗PID效应，无LID效应，首年衰减率降低50%，双面要比单面发电的电站多发10-20%电量。更薄、更轻的特性

提高能量输出。 该系列太阳能组件还符合基于公司Q.ANTUM技术的高质量标准，包括出众的抗LeTID(光和高温诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)及抗PID(电势诱导衰减) 性能，以及热斑保护和可追溯