LID
，光诱导衰减(LID)将会降低1%到3%的组件转换效率。这个衰减直接在组件设定铭牌功率时减掉，在计算电站收益的时候，专家和银行也会把这一部分衰减计算进去。因此，长期以来，LID的测量一直是我们项目级
到严重损失。
LeTID自2012年以来就已为人们所熟知，但是对PERC组件的影响显著高于LID在之前技术上所造成的影响。在实验室环境下，更高的温度和强烈的光照会大大加速功率衰减，也因此得出衰减速度与
期，BIS认证烦人还折腾
当时间进入21世纪10年代末的2019年，是什么认证让你不得不做?
它就是PERC组件高温光热衰减测试!
就像当年的PID、LID一样，首张LeTID测试报告是6月份最火热的
引起的，电池效率衰减实际包含了电池片LID和LeTID两部分。
隆基发布的LeTID解决方案 称：LeTID现象具有普遍性。其普遍性体现在不同的硅材料和电池结构都有可能发生LeTID，对于产品的影响
组件采用了公司具有专利保护和特有的钝化技术制造，这是Q.ANTUM技术的核心关键。为了提升产品质量和可靠性，Q.ANTUM技术结合了其他尖端技术和安全特性，如出色的抗PID(电势诱导衰减)，抗LID
和特有的钝化技术制造，这是Q.ANTUM技术的核心关键。为了提升产品质量和可靠性，Q.ANTUM技术结合了其他尖端技术和安全特性，如出色的抗PID(电势诱导衰减)，抗LID(光诱导衰减)和抗LeTID
未来几年推动双相技术应用的繁荣。除了增加组件功率输出外，该技术还提供了传统玻璃组件的所有优点，包括低电位诱导降解(PID)和光诱导降解(LID)。在N型电池的情况下，PERC提供了更高的电阻和更高的耐受
需求。其中 S单晶12BB电池兼具多晶的成本优势及单晶的性能优势，并且具备低LID和抗隐裂等高可靠特性;S黑硅采用了独特的表面陷光技术，产品美观并提升效率。 优秀的产品吸引了广大知名企业前来沟通洽谈
平均氧含量只有直拉单晶的一半，鑫单晶G3具有更佳LID及LeTID表现。在电阻率分布方面，鑫单晶G3电阻率分布相对直拉单晶更加集中，高度适配主流的PERC电池生产工艺。万跃鹏博士还指出，因为没有倒角
半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低
半片组件，其运用了行业首家实现量产的双面复合膜钝化吸杂技术、SE选择性发射极、低温烧结工艺和加强电注入工艺。多种先进技术的运用，使得Jaeger系列产品拥有更佳的抗LID、抗LeTID表现，以保证最低
LeTID在行业发展前期也是极易被忽视的。如果说LID是正常温度下的、且短时间(几天，一两个月)就能达到饱和的衰减，LeTID则是高温下(75℃或更高)、且较长时间(数月到数年)内才能达到饱和的衰减。经过
