III-V

39.7%。 LayTec和“III-V外延和太阳能电池”小组的合作目标是利用工艺控制改良了的多晶片MOVPE反应器，为大规模制造三结太阳能电池开发监控传感器。来自Fraunhofer ISE的

Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。MicroLinkDevices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤——包括将外延片下的衬底剥离——将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar AmericaInitiative下面的光电模块孵化项目。该项目为期

Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。Microlink Devices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤——包括将外延片下的衬底剥离——将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar America Initiative下面的光电模块孵化项目。该项目

集成复杂电池。 该项目的经理David Rogers评论道：CIP专注于InP生长和制造，正在开发新的市场应用，生产III-V族太阳能电池，继续定位于解决环保问题的产品。 这个联盟目前

报告。报告内容包括：基础研究，新器件（含染料敏化电池）新材料及新概念太阳电池，晶体硅电池及材料技术，硅基薄膜电池及材料技术，CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，空间太阳电池

MRD XL X射线衍射系统是III-V类和其它太阳能电池的研发和制备工艺控制十分重要的工具。超群的分辨和先进的探测器是这两个系统的特点，独特的预校准模块使得更新配置无 需费时费力的校准。X

高。中国最大的PV产品厂商之一英利太阳能公司正力争在中国保定实现每年3000吨的多晶硅产量。 　　由III-V族元素构成的半导体材料是直接禁带化合物，因此具有最高的转换效率。但是，它们的价格非常昂贵

Veeco Instruments公司宣布，台湾新竹的禧通科技公司（M-Com）订购了一套TurboDisc E450 磷化砷（As/P）MOCVD系统，用于生产高效率的III-V族化合物多结

重要一步。此类太阳能电池是由利用不同半导体制造的太阳能电池堆叠构成的，半导体经过仔细选择，以最有效地吸收太阳光谱。 在许多可能的组合方式中，IMEC专注于堆叠电池，顶层电池由III-V族材料构成， 底层电池由锗构成。利用这种组合，IMEC希望把转化效率提高到35%以上。

将研究焦点集中在于顶层使用三五族材料(III-V materials)、底层则使用锗的搭配方式。该机构期望能透过这种组合，使太阳能电池的光电转换效率可达到35%以上。