Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。Microlink Devices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤——包括将外延片下的衬底剥离——将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar America Initiative下面的光电模块孵化项目。该项目为期18个月，Spire在GaAs衬底上使用“双面”电池，优化器件结构层的光学特性使它与太阳能光谱匹配，最终能将太阳能转换效率提升到42%以上。
这个项目打算建立电池生产线，使得年发电量高达50MW，DOE股及到2012年输出量能达到250MW。
另：Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备，生产砷化物和磷化物半导体系统。
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12月3日，浙江省经济和信息化厅就2025年度重点企业研究院、企业研究院拟认定名单进行公示，拟认定浙江省可信数据智能重点企业研究院等211家省重点企业研究院和浙江省亿达时智能灯光企业研究院等1442家省企业研究院。
2D/3D钙钛矿异质结构提升了钙钛矿太阳能电池的性能。本文南京航空航天大学赵晓明等人研究了芳香铵配体的吸电子强度对钙钛矿界面稳定性的影响。此外，组件在30天户外运行中保持稳定的功率输出，显示出其在实际应用中的潜力。研究亮点：配体吸电子能力调控界面稳定性：通过杂环中氧原子数量的增加，系统调控芳香铵配体的吸电子能力，最强吸电子配体ABDI有效抑制2D相形成并阻止离子互扩散。
上海交通大学戚亚冰团队研究证实，在氧化铟锡透明聚酰亚胺基板上联合使用氧化镍与膦酸自组装单分子层作为空穴传输材料，可显著提升器件稳定性。研究意义攻克稳定性瓶颈：首次实现超柔性钙钛矿电池在空气中T80超过260小时的突破性稳定性，为柔性器件的实际应用扫除关键障碍。深度精度1.本研究成功制备了基于NiOX/2PACz双分子层空穴传输结构的超柔性钙钛矿太阳能电池。
界面工程已成为解决钙钛矿与空穴传输层之间界面缺陷和能级失配问题的有效策略。该空穴界面分子设计策略为实现钙钛矿太阳能电池的高效率和高运行稳定性提供了可行路径。
减少钙钛矿/电子传输层界面的非辐射复合是实现高性能稳定钙钛矿/硅叠层太阳能电池的关键挑战。本研究分析了能量损失，并设计了双层钝化策略以提升叠层电池的性能与耐久性。实验结果表明，该双层钝化策略可精确调控钙钛矿能级排列、降低缺陷密度并抑制界面非辐射复合。采用AlO/PDAI处理的单片式钙钛矿/硅叠层太阳能电池，在使用基于QCELLSQ.ANTUM技术制备的工业硅底电池上，实现了31.6%的光电转换效率。
全钙钛矿叠层太阳能电池在实现低度电成本方面具有巨大潜力，但其性能仍受限于窄带隙锡铅子电池中近红外光子吸收不足的问题。
目前仅少数二元体系突破20%效率，且依赖复杂形貌调控。南开大学陈永胜团队设计核不对称受体Ph-2F，实现二元器件效率20.33%，创不对称受体世界纪录。该设计通过协同调控形貌与能损，为产业化提供高稳定性新路径。EQE光谱响应扩展至894nm，积分电流误差3%。动力学曲线拟合显示Ph-2F体系激子解离时间(τ)仅0.121ps，扩散时间(τ)缩短至5.161ps，空穴转移效率达98.71%，为高效率提供动力学基础。
尽管有机太阳能电池(OSCs)的效率已超过20%，但大多数高效器件依赖于三元活性层以平衡开路电压(VOC)、短路电流密度(JSC)和填充因子(FF)。相比之下，二元器件具有形貌调控简单、工艺复杂度低和重复性好等优势，更有利于未来应用。本研究南开大学万相见等人通过结合中心核不对称取代与卤素工程，设计并合成了两种不对称受体Ph-2F和Ph-2Cl。这种不对称设计显著提升了受体的发光性能(Ph-2F的PLQY达10.36%)，有效抑制了非辐射能量损失(ΔE3低至0.193 eV)，同时优化了与聚合物给体PM6的纳米形貌。最终，基于PM6:Ph-2F的二元器件实现了20.33%的冠军效率(认证效率19.70%)，是目前不对称受体二元OSCs的最高值。此外，13.5 cm²的大面积模块效率达到17.16%，创下二元OSCs模块的效率纪录。
能级精确调控：三氟甲基强吸电子效应诱导界面电荷位移，使NiO功函数负移，与钙钛矿能级偏移降至0.01eV。结论展望本研究通过三齿共价锚定分子3F-PTES，实现了NiO界面缺陷钝化与能级对齐的协同优化，推动倒置钙钛矿太阳能电池效率与稳定性同步提升。未来，通过进一步优化分子设计与规模化制备工艺，该策略有望为高效稳定钙钛矿光伏器件的商业化提供新路径。
香港科技大学（科大）、耶鲁大学、劳伦斯伯克利国家实验室和洛桑联邦理工学院的工程学院（SENG）的研究团队推出了全面的仿生多尺度设计策略，以应对钙钛矿太阳能电池商业化的关键挑战：长期运行稳定性。这些战略从自然系统中汲取灵感，旨在提高太阳能技术的效率、弹性和适应性。
硅异质结太阳能电池对紫外线(UV)敏感。二次离子质谱(SIMS)分析表明，365nm 紫外线会解离 Si-H 键，导致氢原子从 a-Si:H/c-Si 界面迁移并形成亚稳态缺陷。东方日升全球光伏研究院联合东南大学，针对n型异质结电池和组件的紫外稳定性进行了深度机理性的研究，开发了低紫外损伤连续PECVD 工艺，通过优化i1钝化层氢含量达33%( a-Si0x:H)i2钝化层氢含量达25%(a-Si:H)，使载流子寿命提升至3.6ms，紫外诱导衰减(UVID)从1.59%降至 0.71%。
