III-V

英国伦敦FirstConferences公司今日聚光光伏部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料(GaInP
聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也有多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化提出了如下目标：电池将达到45

　　英国伦敦First Conferences公司“今日聚光光伏”部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料
了电池中运用的材料。目前的聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化

英国伦敦First Conferences公司“今日聚光光伏”部于2009年3月30日发表一项关于聚光光伏商业化面临的技术瓶颈的报告。该报告的结论为，至2015年由III-V半导体材料(GaInP
的材料。目前的聚光光伏设备既有高功率的硅电池，也多倍太阳能电池，但与硅电池相比，由III-V半导体材料组成的电池至今尚未达到同等的市场成熟度以及工业生产标准。该研究对多倍太阳能电池商业化提出了如下目标

测试，例如三五族太阳电池（III-V Solar cell）、追日仪（Tracker）、变电器（Inverter）等。第三，发电站也可作为未来CPV专业技术人员的训练场所。 　2009年华旭在CPV

群雄割据状态从化合物类薄膜太阳能电池99～08年的专利动向来看，02年以前，III-V族和II-VI族材料的相关专利的公开件数居多。但03年以后，CGS和CIGS等I-III-VI族相关专利件数增多。不过

，第五位的三洋电机为38件。 化合物类薄膜太阳能电池业务呈“群雄割据”状态 　　从化合物类薄膜太阳能电池99～08年的专利动向来看，02年以前，III-V族和II-VI族材料的相关专利的公开件数居多

因不同的晶格常数，结合后容易产生应力，造成插排或是其它的晶格缺陷。 由法兰克博士(Frank Dimroth)领军的III-V族磊晶与太阳能电池团队，FhG-ISE克服上述之困难，使缺陷
韦伯(Eicke R. Weber)博士提到。 多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体，这个高效率的电池结构，由合适的材料组成，可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收

常数，结合后容易产生应力，造成插排或是其它的晶格缺陷。 由法兰克博士(Frank Dimroth)领军的III-V族磊晶与太阳能电池团队，FhG-ISE克服上述之困难，使缺陷局限于电子非活跃区
R. Weber)博士提到。 多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体，这个高效率的电池结构，由合适的材料组成，可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收。研究员提到，这是

Asif Anwar表示，薄膜太阳能电池成本较低，不消耗晶硅，传统的晶硅太阳能制造商都开始关注薄膜太阳能，如Q-Cells和 Sharp公司。 Anwar先生得出结论：III-V族光伏电池具备

Q-Cells和Sharp，都相继走入新的领域。此外，III-V族CPV技术具备高转换效率以及低材料用量两大优势，我们相信到2012年，优势会转化为CAAGR=133%，市占率共计10%。 (编辑:xiaoyao)