III-V

III-V族化合物薄膜电池研究与预测● 染料敏化纳米晶(DSSC)电池实用化及产业化研究● 薄膜电池的质量控制和检测标准● 薄膜太阳能电池设备的技术进步 专题系列二: 太阳能电池的应用（12月3日）第一部

：薄膜电池的技术发展与前景●国内外薄膜太阳能电池新进展●硅基薄膜电池技术突破及转换效率优化●CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池研究与预测●染料敏化纳米晶(DSSC)电池实用化及产业化研究

and higher power output than the III-V triple junction compound semiconductor devices that presently hold

、新器件（含染料敏化电池）、新材料及新概念太阳电池；（2）晶体硅电池及材料技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5

转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%，远高于目前晶硅电池17%左右的

III-V 族外延晶圆和氮化镓 (GaN) 晶圆，主要用于制造高频电子产品和其他光电子器件。Tracit 则侧重于薄膜层转移技术，用于制造电源管理集成电路和微系统所需要的晶圆，以及通用电路的转移技术

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
"，并将应用NREL的知识产权与技术。实验室已证明该太阳能电池转换效率最高可达40.8%。 6英寸晶片是III-V族半导体量产中使用的最大尺寸晶片。目前复合太阳能电池的制造仍使用较小尺寸晶片及低效率生产设备。

第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V
优势和耐高温性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差

第三代CPV 发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。光伏发电经历了第一代晶硅电池和第二代薄膜电池,目前产业化进程正逐渐转向高效的CPV 系统发电。与前两代电池相比,CPV 采用多结的III-V 族
性能。硅电池的理论转换效率大概为23%,单结的砷化镓电池理论转换效率可达27%,多结的III-V 族电池对光谱进行了更全面的吸收,其理论转换率可超过50%。即使考虑到聚光和追踪所产生的误差损失,目前的

技术；（3）硅基薄膜电池及材料技术；（4）CIS、CdTe和其它III-V族化合物薄膜电池及材料，以及空间太阳电池；（5）光伏组件及生产设备和零配件制造；（6）光伏系统、平衡部件、并网及工程技术；(7