III-V

Center Berlin)和商业聚光光伏公司Soitec(EPA:SOI)的研究人员发现，一款基于III-V的新型太阳能电池的转换效率日前破世界纪录，达到44.7%。该新效率纪录在太阳光线浓度
III-V电池43.6%的效率，只花费数月时间，而将效率提高高达1%。然而，新电池的IV特性曲线图强调，电池达到这样高转换效率时一定程度的可变性。弗劳恩霍夫太阳能系统研究所负责这一开发工作的部门负责人

索比光伏网讯:逆变器、汇流箱、35kv箱变招标公告简介：日芯光伏科技有限公司是由国内光电龙头企业三安光电（中国：上证证券代码600703）和世界著名的III-V族半导体制造厂商Emcore（美国

产品则为薄膜太阳能电池，主要构成材料分别为非晶矽(Amorphous Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)等。第三代即为三五族(III-V)电池，如砷化镓(GaAs)太阳能电池因具有良好的
转换效率平均仅约7~12.5%，碲化镉电池转换效率最高约17%，铜铟镓硒电池则约20%。值得注意的是，三接面III-V族太阳能电池最佳转换效率已达到44%，未来更有机会突破50%。 过去III-V族

总部驻加州森尼维耳市的Alta Devices于2012年3月所创造，转换效率为30.8%。NREL研发的0.25平方厘米III-V光伏电池包含位于砷化镓太阳电池顶部的镓磷化铟电池，是基于每平方
重点一直集中在内部光学。Steiner认为内部光学在III-V光伏电池的高质量上发挥的作用被低估了。他称：该项目的科学目标就是理解并利用内部光学。

维耳市的Alta Devices于2012年3月所创造，转换效率为30.8%。NREL研发的0.25平方厘米III-V光伏电池包含位于砷化镓太阳电池顶部的镓磷化铟电池，是基于每平方厘米1000瓦的

两个生长在不同III-V族化合物材料上的新型高复杂度2结子电池组成，通过优化带隙组合以获得更宽的太阳光谱，从而实现光电转换效率最大化。Soitec公司在4结太阳能电池中使用了其专有的半导体键合（智能
霍兹材料与工程中心共同开发，他们在新衬底材料上实现了III-V族外延层的生长和沉积，以及器件的制备和表征。法国电子与信息技术研究所CEA-Leti也主动参与项目研究，贡献其在高机械强度、导电和透光键合界面以及III-V族化合物材料层传输工程方面的专业特长。（工业和信息化部电子科学技术情报研究所黄庆红）

结太阳能电池由两个生长在不同III-V族化合物材料上的新型高复杂度2结子电池组成，通过优化带隙组合以获得更宽的太阳光谱，从而实现光电转换效率最大化。Soitec公司在4结太阳能电池中使用了其专有
研究所和柏林亥姆霍兹材料与工程中心共同开发，他们在新衬底材料上实现了III-V族外延层的生长和沉积，以及器件的制备和表征。法国电子与信息技术研究所CEA-Leti也主动参与项目研究，贡献其在高机械强度

不断发展，有望至2015年将太阳能电池的转换效率提升至50%。设计包含两个双结子电池该新型四结设计运用两个生长于独立III-V复合材料复合材料中的双结子电池，复合材料能够令带隙组合物捕获更大范围的太阳光

，但是其高昂的前期成本直至2006年前都是令人望而却步的;而在2006 年，III-V多结式产品的效率达到了40%。在十几年前的航空应用中崭露头角之后，III-V多结式产品继而又在正处于发展阶 段的
CPV领域内的高效硅电池内展现身手。对III-V多结式产品 的使用使得交流系统的效率提高了30%以上(相对数字);双轴跟踪系统可在整个日照期间内保持这一较高的效率数值。这 一组合可将获得必要的益处