III-V
厂商，其优势之一是使用可调带隙为1eV的III-V族材料。这一成果是在美国能源部(DOE)的光伏孵化项目支持和其下属部门国家可再生能源实验室(NREL)管理下取得的。该电池转换效率已通过了NREL测量
相关技术话题后，全体会议代表奔赴电站现场进行实地考察，而总投资3.3个亿的哈密弗光石城子聚光光伏在建项目引起与会代表浓厚兴趣。据了解，该在建项目采用III-V族化合物电池直接进行光电转化，理论转化率达
影响，实现薄膜的均匀生长。 进行了高效晶硅和III-V族太阳电池的研究，在晶硅电池上实现了27.6%的效率（背结指交叉结构，~100倍的聚光比）和20.5%的效率（激光刻槽埋栅电池，30倍聚光
高效三结聚合物太阳能电池具有功率转换效率超过11%）中报道了这项研究中创新的关键，这是一种有机材料的演示，能够模拟III-V基太阳能电池中创纪录效率的三结结构。以工业标准的GalnP/GalnAs/锗
技术构造的III-V基太阳能电池已经达到了所有太阳能电池的最高能量转换效率，超过当前记录40%。在III-V基多结太阳能电池中，用于高电流输出三结电池的最优排列设有一个宽带隙吸收器（2.0-1.85eV
、Kenichiro Ohya、Jingbi You、Jng Gaoirou Hong及Yang Yang与推出GaInP/GaInAs/Ge结构转换效率11.5%冠军III-V多结太阳能电池的团队一致
Yoshimura、Kenichiro Ohya、Jingbi You、Jng Gao\irou Hong及Yang Yang与推出GaInP/GaInAs/Ge结构转换效率11.5%冠军III-V多结
，最后将这些子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段
。本文将主要介绍InGaP/GaAs/Ge等III-V族材料体系。
图1是一个典型的多结太阳能电池示意图。其中顶层的InGaP电池、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV
子电池串联形成多结太阳能电池。目前研究较多的III-V族材料体系，如InGaP/GaAs/Ge三结电池，所报导的转换效率可达42.8%左右。也有选取II-VI族材料的，但目前还处于研究阶段。本文将主要
介绍InGaP/GaAs/Ge等III-V族材料体系。图1是一个典型的多结太阳能电池示意图。其中顶层的InGaP电池、中层的GaAs电池和底层的Ge电池带隙分别为1.86eV、1.40eV和
pn层。利用该技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。该小组制作了在CIGS类太阳能电池上层叠GaAs和GaInP双结太阳能电池的发电元件
技术可在Si类和CIGS类太阳能电池上层积III-V族pn结，因此能够以低成本制造高效率的太阳能电池。 开发该技术的是AIST光伏发电工程研究中心的先进多结器件小组。该小组制作了在CIGS类
