III-V

III-V多结太阳能电池将整合到Amonix聚光光伏组件技术(点击查看PV-Tech此前相关报道)。 Amonix首席执行官帕特麦卡洛(Pat McCullough)表示：该协议巩固了聚光光伏领域这两个

开发了太阳能电池。制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应，根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：1、硅太阳能电池；2、以无机盐如砷化镓III-V
砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。上述电池中，尽管硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对

太阳能光电效率向来受转换率瓶颈限制，惟近期美国国家再生能源实验室(NREL)以III-V族化合物制造的高聚光型太阳能电池 (HCPV)转换率再获突破，创下44%的转换率新高，将太阳能光电的技术再往
前推进一步。 HCPV太阳能电池是以砷化镓等III-V族化合物制成，并配合追日系统、高聚光透镜等零件，将太阳光以倍数效益投射在晶片上，能够有效提升单位面积的发电效率，适于安装在日照

三安光电和世界着名的III-V族半导体制造厂商Emcore(美国：纳斯达克证券代码EMKR)共同出资成立的中外合资企业，注册资本6，700万美元。依托两母公司强大的技术研发以及领先的自动化生产制造技术

是由国内光电龙头企业三安光电和世界着名的III-V族半导体制造厂商Emcore（美国：纳斯达克证券代码EMKR）共同出资成立的中外合资企业，注册资本6，700万美元。依托两母公司强大的技术研发以及领先

CPV发电方式正逐渐成为太阳能领域的焦点。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率等优点；而且所需的电池面积不大，以相对廉价的聚光器件替代昂贵的半导体材料，在

性对III-V族太阳电池性能的影响中山大学太阳能系统研究所 陈镇光 18、Co掺杂ZnS的纳米结构与稀磁特性研究--------上海电力学院太阳能研究所 房文健 分会场七：N型电池技术
-----------------------------------中国科学院上海微系统与信息技术研究所 石建华 17、聚光光斑均匀性对III-V族太阳电池性能的影响中山大学太阳能系统

索比光伏网讯:为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么

为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。那么什么是薄膜电池呢

三安光电（中国：上证证券代码600703）和世界著名的 III-V族半导体制造厂商Emcore（美国：纳斯达克证券代码EMKR）共同出资成立的合资企业，建成后将成为国内规模最大的光伏产业基地。