III-V

表示，最新研究有望大幅降低太阳能发电的成本并为获得转化效率高达50%的太阳能电池铺平了道路。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族（元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的

)多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶矽薄膜太阳能电池效率高，成本较
单晶矽电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染，因此，并不是晶体矽太阳能电池最理想的替代产品。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料

III-V半导体高性能电池要简单得多。 科研人员称，他们将化学的稳定与金属氧化物的廉价这两个优点结合起来，与一个相对简单的硅基薄膜太阳能电池组合到一起，最终获得了一个成本低、稳定性好而功能强大的

材料相比，基于III-V族半导体多结太阳能电池具有最高的光电转换效率，大致要比硅太阳能电池高50%左右。III-V族半导体具有比硅高得多的耐高温特性，在高照度下仍具有高的光电转换效率，因此可以采用高倍
，晶体硅及薄膜太阳能电池的理论转换能大约能达到28%，而多结的III-V族电池理论转换率可超过60%，可见，目前聚光电池转化效率已达到了40%左右，但其可提升的空间还是很大的。成本仍是关键现在的问题是

。他们表示，最新研究有望大幅降低太阳能发电的成本并为获得转化效率高达50%的太阳能电池铺平了道路。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族(元素周期表中III族的B，Al，Ga

太阳能发电未来发展趋势的第三代技术。最新研制出的四结太阳能电池中的单个电池由不同的III-V族（元素周期表中III族的B，Al，Ga，In和V族的N，P，As，Sb等）半导体材料制成，这些结点逐层堆积，单个

达到42.5％，在上面再重叠其他材料的话还可进一步达到47.5％。 在候选材料方面，格林提到了宇宙用途及聚光系统使用的GaAs等III-V族材料、不使用In的薄膜化合物型太阳能电池使用的CZTS，以及在染料敏化

了今年5月，该团队公布，效能率43.6%的记录。这种多接结式III-V族电池，利用聚光伏(CPV)技术，能够在阳光强烈地区，产生比传统的光伏电池高一倍的发电率。Soitec公司总裁埃尔韦在声明中说，在

%。Lux Research分析师兼该名为《继续教育：光伏创新重回学校》的报告的首席作者法蒂玛托尔(Fatima Toor)表示：最具前景的技术是双面晶体硅组件，随后是III-V和CIGS技术的串联电池结构

晶体硅技术创新，那么达成目标的可能性较高。 Lux Research分析师Fatima Toor（该报告主作者）表示：继III-V与CIGS技术创新之后，最有发展潜力的即双面晶体硅组件技术。这些技术