III-V

迄今报导的III-V族纳米线阵列太阳电池的最高效率，是以前的砷化镓纳米线阵列技术转换效率的一倍。对于光伏应用，控制原生GaAs表面状态的高密度至关重要，这些结果证明，Sol Voltaic公司已经
解决了太阳电池纳米线生长中的这个挑战。"我们的砷化镓纳米线的效率，乃是我们的低成本薄膜的重要方面。III-V族材料在光伏产业的应用，一直是人们追求的目标，但是，其成本一直令人望而却步。使用Sol

光伏产业使用III-V材料一直是一个目标，但是成本一直令人望而却步。使用Sol Voltaics的Aerotaxy纳米线制作方法，使我们III-V薄膜能够以具有竞争力的成本高效生产，这是行业的发展

的半导体材料（简称III-V），最常见的是砷化镓。　　太阳能电池晶元抗断裂强度检测装置（NREL供图）第二个方面是传统的单晶硅研究。NREL的工作侧重于复合层叠电池，通过将性能最佳的特殊单元模块加装在
难题。NREL对两种连接方法都有研究，并且研究结果表明III-V作为顶部电池材料较好。第三个方面就是NREL已研究了35年的薄膜技术。研究人员研究了多种材料，包括：碲化镉，铜铟镓硒（CIGS），铜锌锡硫

列元素制成的半导体材料（简称III-V），最常见的是砷化镓。太阳能电池晶元抗断裂强度检测装置（NREL供图）第二个方面是传统的单晶硅研究。NREL的工作侧重于复合层叠电池，通过将性能最佳的特殊单元模块
技术难题。NREL对两种连接方法都有研究，并且研究结果表明III-V作为顶部电池材料较好。第三个方面就是NREL已研究了35年的薄膜技术。研究人员研究了多种材料，包括：碲化镉，铜铟镓硒（CIGS），铜

砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。 硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染
，因此，并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。 砷化镓（GaAs）III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏

家高级工业科技学院(AIST)的标准测试条件，该新电池的效率日前得到独立证实。该多结电池的效率在508的太阳能光线浓度条件下在一个菲涅尔聚光透镜下进行测试。所谓的多结电池，基于III-V半导体复合材料
另一款III-V太阳能电池在高浓度的模拟阳光下，转换44.7%的光。其也来自Soitec、CEA-Leti与Fraunhofer的合作关系，另外还有一家德国研究机构柏林亥姆霍兹研究中心

家高级工业科技学院(AIST)的标准测试条件，该新电池的效率日前得到独立证实。该多结电池的效率在508的太阳能光线浓度条件下在一个菲涅尔聚光透镜下进行测试。所谓的多结电池，基于III-V半导体复合材料，使
，这对于精确实现是一项特殊挑战。根据Fraunhofer ISE，这通过在电池结构内部精确调整各层的组成和厚度完成。本周的公告就在Soitec电池获得上次巨大效率刚刚超过一年后到来当时另一款III-V

。劣势是光电转换效率较低，商业化应用的转换率目前普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。 多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉
及铜锢硒薄膜电池等。 砷化镓(GaAs)III-V族化合物光伏电池的转换效率可达40%。GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对热不敏感，适合于制造高效单结

普遍在8%-10%左右；存在光电效率衰退效应，稳定性不高。多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。砷化镓(GaAs)III-V族化合物