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III-V
了一种晶圆直接键合(directwaferbonding)技术，将一些几微米的III-V族半导体材料转移到硅中。在等离子体被激活之后，将太阳能电池单元材料在真空中加压键合。Ⅲ-V族半导体材料表面的原子
1500 nm 波长处灵敏度提高了5个数量级。更重要的是，他们所用的量子点是采用室温溶液法制备的，无需传统半导体(锗和III-V族半导体等)所需的高温外延生长过程。因此，胶体量子点可被用于硅基红外
要的是，他们所用的量子点是采用室温溶液法制备的，无需传统半导体(锗和III-V族半导体等)所需的高温外延生长过程。因此，胶体量子点可被用于硅基红外探测器件，与现有的外延半导体器件相比具有独特
柔性戏机薄膜电池与模组等）的规模化与生产技术、III-V 族化合物电池、铁电─半导体耦合与铁电─半导体／晶体矽层叠电池、钙钛矿电池、染料敏化电池、量子点电池、新型层叠电池、硒化锑电池、铜锌锡硫电池等
组件等)之规模化与生产技术、III-V族化合物电池、铁电-半导体耦合与铁电-半导体/晶体硅层叠电池、钙钛矿电池、染料敏化电池、量子点电池、新型层叠电池、硒化锑电池、铜锌锡硫电池等。 示范试验类，将
电池、CdTe电池、CIGS电池），第三类电池为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。 中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强
-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型骨干企业多晶硅生产能耗、物耗大幅
新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型骨干企业多晶硅生产
为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断提升，大型
），第三类电池为尚未商业化的新型电池（铁电-半导体耦合电池、III-V族化合物电池、有机电池、染料敏化电池、钙钛矿电池、量子点电池等）。中国晶体硅产业链整体产业化技术水平较强，其中多晶硅生产工艺水平不断
