III-V

，中国组件制造商晶科太阳能和美国国家可再生能源实验室(NREL)不约而同地探索在太空当中的光伏生产技术，以便提高地球上的太阳能发电效率。 在NREL，研究人员声称在III-V电池技术方面取得了突破
，他们表示这种高效但非常昂贵的电池的成本是可以显著降低的。这个团队透露，他们已经在氢化物气相外延反应器中生长出磷化铝铟(AlInP)和磷化铝镓铟(AlGaInP)。 III-V型太阳能电池得名于这些材料

对光伏电池前沿技术的关注发现，NREL的科学家最近成功地用一种从未实现过的方法，制造出低成本的砷化镓材料，有望大幅降低其成本，最终实现在地面光伏电站的应用。 III-V族的平民梦想 砷化镓，由于其
在元素周期表上的位置而得名为III-V太阳能电池，其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。但对地面电站来说这些元素实在太贵，是太昂贵。一直以来，研究人员都在致力如何开发能降低成本的技术。 降低

美国空军实验室合作开展，因而其另一重要应用是卫星用的高效砷化镓(GaAs)光伏电池。在III-V材料光伏电池的生产中，研究人员开发的一种称为Metzilla Plate的工艺技术取代了光刻和真空镀膜工艺

氧化物阳极材料(比如III-V族半导体)在水溶液环境下很不稳定，而常见的氧化物又很难在可见光下展现出高效的太阳能产氢效率;光伏过程对材料本身光学和电学性质要求较高，一般需要有合适带隙(1.0-1.6

团队，最近展示了他们开发的新型太阳能水分离电池，其效率可达19.3%。 研究人员表示III-V族半导体的串联太阳能电池与铑纳米颗粒及结晶二氧化钛催化剂的组合推动了效率的提高，声称通过将电池浸入水介质

美国国家可再生能源实验室(NREL)开发出了一种在III-V族元素中使用砷化镓和其他化合物生产光伏电池的改进方法。这些材料以效率极高而著称，但其昂贵的生产成本意味着它们的使用仅限于卫星和无人飞行器等
小卫星应用。 虽然非常高效，但III-V太阳能电池生产成本非常昂贵，目前仅使用于一些利基应用中。 NREL的科学家们目前已经找到了改进III-V族电池生产的方法，这一工艺被称为氢化物气相外延

隙为1eV的III-V族材料。Solar Junction的光伏电池产品结合了该公司的可调光谱晶格匹配(A-SLAM)专利技术，优化了光伏电池的光谱，使电池的转换效率和可靠性得到最大程度的提升。