I-V曲线
为了让太阳能电池板或阵列发电量最大化，在给定的条件下独立逆变器和电网连接逆变器采用一种复杂方法寻找最大功率点，或称为MPP。通过接在太阳能组件或阵列的负载上下波动不断变化找到I-V曲线上的
不断改变它们的输出阻抗跟踪最大功率点。 模拟器必须对太阳能电池阵列的负载变化做出响应。模拟器不仅要保持功率输出还必须跟踪太阳能电池板或阵列的仿真I-V曲线。
使问题复杂化，许多太阳能逆变器会在连接
，造价很高，调节也不方便，之后有人就采用固定电压源，但是考虑到恒定电压源输出的电流-电压（I-V）曲线是一条直线，与实际电池板的I-V曲线会产生较大偏差，为此人们又在检测设备中接入了一个电阻，即利用定
波尔兹曼常熟，T是开尔文温度，q是电子电量，Io是二极管的反向饱和电流。综上组件的电流正比于光辐照强度，电压与光辐照强度成对数关系。 图2 不同辐照强度下组件的I-V和功率曲线 组件在不同辐照强度下
的I-V曲线和功率曲线如图2所示，从图中可以看到组件的开路电压在光辐照强度大于400W/m2时变化很小，短路电流与光辐照强度成线性变化。当光辐照强度大于400W/m2时，组件最大输出功率点的电压基本
太阳能系统能量利用率，能够快速扫描整个I-V曲线，几秒钟就可以跟踪到光伏电池最大功率点，最大光电池输入功率可达1170W。此外，MPPT控制器具有过充、过放、过载、短路自动保护功能和任意组合的光伏组件及
％。NREL据称这是该技术的巨大突破，为降低太阳能成本迈进了一大步。 高效多晶黑硅太阳能电池I-V曲线（2013年3月）
多晶硅电池转换效率达到17.88%后，再度取得进展，突破18.3%。高效多晶黑硅太阳能电池I-V曲线(2013年3月)该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入设备，制备了纳米表面结构的黑硅材料。黑硅的纳米结构
电流-电压（I-V）和外量子效率（EQE）特性。I-V测量在标准测试条件（STC，25℃，AM1.5G谱和1000W/m2）下进行。结果和讨论表面形貌用原子力显微镜（AFM）观察低铁玻璃上抗反射涂层的
把上电池和下电池均考虑在内时，似乎d nm是最可取的厚度。太阳能电池性能的改进通过对用AM1.5G光谱权重后的EQE曲线积分，计算上电池和下电池的短路电流密度(Jsc)。准确的计算方法如下： 式中，e
电流特性要求一致，并联支路的电压要求一致，并联支路的电流可以不一致。IEC62446标准这次增加了很多，比如增加了红外摄像测试，汇流箱，I-V曲线测试，湿绝缘测试，方针的遮挡，隔离二极管测试。最后我们
光伏系统的验收标准，IEC61725是太阳能日分布曲线的数字表达式。IEC61727是光伏系统电网接口特性，需要与TC8协调。IEC62548这个讨论非常多，比如说绝缘电阻的标准就讨论的非常激烈。美国
， 2012年）。 日前，该团队和浙江省大型光伏生产企业密切合作，通过针对性的工艺改进，多晶黑硅太阳电池的转换效率已经达到17.88％（156mm*156mm），该技术的应用将为我国光伏企业摆脱目前困境。 多晶黑硅太阳电池I-V测试曲线（微电子所，2012）
