ETL
簇通路快速合成高质量SnO2电子传输层(ETL)，同时促进逐离子通路产生均匀的薄膜。生成的SnO2薄膜具有优异的光电特性，包括低表面复合速度(5.5
cm/s)和24.8%的高电致发光效率。这些
充当复合中心。通过在生长过程中使这些位点饱和，过量配体方法减轻了传统上困扰湿化学方法衍生的ETL
的中间间隙状态和陷阱。因此，电荷载流子通过ETL的传输更加顺畅，从而提高了器件的开路电压和填充因子
，在 n-i-p 结构的钙钛矿太阳能电池(PSCs)中，大约 80%
的光生载流子是在电子传输层(ETL)与钙钛矿界面起始的 300 nm 范围内生成的，这表明
ETL/钙钛矿界面处的有效
载流子分离对提升器件性能至关重要。与此同时，大多数光生空穴需要穿越整个钙钛矿薄膜才能到达空穴传输层(HTL)。在 n-i-p
架构中，钙钛矿薄膜沉积在 n 型 ETL 上，尤其是在使用两步法时，通常会
电子传输层(ETL)是钙钛矿太阳能电池(PSCs)的关键组件，极大地影响着其光伏性能。鉴于此，洛桑联邦理工学院Michael Grätzel、Paul
J. Dyson、Ursula
”，在目前使用的各种 ETL
材料中，SnO₂因其独特的优势而脱颖而出，包括低温制备、快速电子提取能力以及其导带边缘与常用钙钛矿配方的优异能量匹配。然而，目前使用的
SnO₂层含有表面缺陷，如羟基
MAPbI3或混合钙钛矿前驱体混合，形成二维/三维钙钛矿异质结。4. 电子传输层(ETL)制备PCBM层：以20 mg/mL浓度的-苯基-C61-丁酸甲酯(PCBM，Nano-C)氯苯溶液，3000
全无机 CsPbI₃ 钙钛矿因其出色的热稳定性和理想的带隙特性而备受关注。然而，钙钛矿/电子传输层(ETL)界面处的界面缺陷以及钙钛矿不受控的结晶过程仍然是提升器件性能的关键瓶颈。鉴于
策略，通过分子级互锁导电弹性体来调和这些相互冲突的要求。通过在电子传输层(ETL)中嵌入三维互穿导电弹性体网络，利用动态键的塑性实现动态应力耗散。该策略通过Ag配位增强的纳米复合物键合产生梯度模量界面
伸模块，其PCE分别达到16.74%和14.48%。研究内容：该研究提出了双相界面工程策略，通过分子互锁的导电弹性体网络实现了动态应力耗散。通过在电子传输层(ETL)中嵌入三维互穿导电弹性体网络，实现了
和(D)分离的器件的ETL层中的EDX绘图。(E和F)静置的(E)原始和(F)分离的器件的ETL层上的SEM图像。总之，作者成功地开发了一种蒸汽辅助表面重构策略，实现了工业规模钙钛矿太阳能电池组件的
/钙钛矿、HTL/钙钛矿/ETL薄膜及完整器件(分别标记为Pero、HTL、p-i-n和device)在有/无BA-8FH处理时的PLQY测试结果。(b)
对照组与BA-8FH处理样品对总电压损失的
)，100°C退火10分钟。电子传输层(ETL)与电极蒸镀：在真空腔(p = 10⁻⁷ mbar)中依次沉积：C60(30 nm，0.2 Å/s)BCP(8 nm，0.2 Å/s)铜电极(100 nm，0.6 Å/s)
层形成稳定的界面接触。缺陷钝化效果显著 CIT分子中的羧基能够优先与SnO2中的Sn4+离子结合，有效钝化氧空位缺陷，提高ETL的电导率和电子迁移率，并调节能级对齐，从而提高电子的提取和传输效率。双重
中的埋界面。通过引入各种甲脒基材料(FAI、FABr 和
FACl)，F-ISS方法有效地减少了界面缺陷，减轻了纳米颗粒的聚集，增强了电子传输层(ETL)的电学和形貌均匀性，并改善了能级排列。引入
F-ISS的ETL表现出更好的表面光滑度、更低的陷阱密度和更强的界面粘附性，从而获得了更优异的埋界面质量。这些改进带来了卓越的器件性能，标准结构器件的效率达到25.61%，超过了控制器件的23.43
