AG
：通常由纯金属或金属氧化物制成透明底电极(薄膜)：通常是掺氟氧化锡(FTO)或氧化铟锡(ITO)。挑战在于柔性、成本和高温处理对底层损伤顶电极：传统为金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)，通过
PL光谱和b) TRPL光谱。c) 仅电子传输器件(FTO/SnO₂/钙钛矿/PCBM/Ag)的暗态J–V曲线。基于d)新鲜前驱体和e) 含和不含Th的老化前驱体的冠军器件J–V曲线。f) 器件
、C6A和C8A与Li⁺的结合能对比。b)
4TBP、C4A、C6A和C8A与Ag的结合能对比。c) 4TBP、C4A、C6A和C8A与钙钛矿的结合能对比。d)
含/不含C8A的Li-TFSI溶液
7Li核磁共振谱。e) 含/不含Li-TFSI的C8A溶液1H核磁共振谱。f,g) 含/不含C8A的Ag电极薄膜Ag 3d
X射线光电子能谱。h) 基于C8A与多组分离子主客体相互作用的迁移抑制
/C60/BCP/Ag的单电子器件结构。(h)PSC器件的光强度依赖性VOC。(i)PSC的TPV衰减曲线。图4.
钙钛矿器件的性能。(a)n-i-p结构器件和(B)p-i-n结构器件的J-V曲线
小时。这项工作为制造高效、稳定的PSCs提供了一种可行的途径，并为钙钛矿太阳能电池组件技术的结晶控制提供了新的可行性。器件制备器件制备：ITO/SAM/PVSK/PI/C60/BCP/Ag1.洗干净的
电极：通过热蒸发沉积银(Ag)电极，完成器件组装。6. 柔性基底工艺：基底选择：采用超薄聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底，通过范德华力(van der Waals interaction)贴附于
策略，通过分子级互锁导电弹性体来调和这些相互冲突的要求。通过在电子传输层(ETL)中嵌入三维互穿导电弹性体网络，利用动态键的塑性实现动态应力耗散。该策略通过Ag配位增强的纳米复合物键合产生梯度模量界面
。a)
基于Ag-PNDIT-F3N和Ag-PNDIT-F3N:PIL-PDES(1:1)薄膜的截面SEM图像和EDS成分分布图，显示Ag、S和Cl原子的分布。标尺为500
nm。b) 基于
弯曲设计：通过能带工程，促进载流子隧穿，减少复合损失。3. 光学设计再升级减反射层：引入MgF₂/Ag叠层，降低背面光反射损失;电极遮光比从2.8%降至2.0%：激光转印技术细化栅线，提升光吸收。三
近日，德国光伏逆变器制造商SMA Solar Technology AG(以下简称"SMA")宣布，其首款专为美国大型太阳能和储能系统设计的"中压电站"(MVPS)产品将于美国本土完成最终组装
PVKITO/NiOx/SAM/PVK/C60/BCP/Ag1.洗干净的ITO，20 mg/mL NiOx H2O，3000rpm
30s旋涂，130℃退火30 min;参比：0.3 mg/mL
15 min;3. 1 mg/mL
EDAI2 IPA，4000rpm 40s旋涂，100℃退火5 min;4. 蒸镀20 nm C60; 8 nm BCP; 蒸镀100 nm Ag。2T
26.05%的光电转换效率(PCE)，并展现出优异的运行稳定性。器件制备器件制备：ITO/SAM/P-type inerface/PVSK/PI/PCBM/C60/BCP/Ag1.洗干净的ITO玻璃
mg/mL PCBM 6000rpm 30s旋涂，70℃退火5 min;5. 蒸镀20 nm C60; 5 nm BCP; 95 nm Ag.
