量子
金属电极的性能碳浆(Carbon
Paste)：通过层压(Lamination)制备。成本极低，稳定性优异，但厚、不透明、需高温处理(500°C)，限制应用场景特殊类型钙钛矿活性层钙钛矿量子
：核心!测量Voc、Jsc、FF，计算PCE。需注意钙钛矿电池可能存在迟滞(Hysteresis)现象，即正反扫J-V差异，需采用标准测量协议(如稳定功率输出SPO)量子效率(EQE/IPCE)：测量
)的1.1
eV带隙的三重态能量，这对于耦合到c-Si是理想的，此过程理论上能将一个高能光子转化为两对可利用的载流子(电子-空穴对)，潜在量子效率可达200%。 如何让硅“接收”裂变的三重态能量
的缺陷，防止转移过来的电荷载流子在这些缺陷处快速复合而损失。隧穿：
超薄厚度允许电荷量子隧穿通过，实现ZnPc与硅之间的电荷转移。顺序电荷转移机制(核心突破)：第一步(电子转移)：
位于
) J-V曲线;e) 相应器件的外量子效率(EQE)光谱及积分短路电流密度(Jsc);f) 稳态输出性能;g) TPV光谱;h) 基于不同薄膜器件的开路电压(VOC)与入射光强依赖关系;i) 不同
电子信息、高端装备制造、量子计算等各种新兴产业、未来产业对电能质量的要求，加强异常监测分析，主动优化电网运行方式，指导企业合理配置UPS，就是不间断电源等客户侧措施，全力满足好企业生产经营需求。三是助力企业
，30 oC)，经过 1,800 小时后，仍保留了其初始 PCE 的 92 %。为了进一步证明这一思路的普适性，我们也制造了蓝色钙钛矿发光二极管 LED。其外部量子效率 (EQE) 达到了 14.78
CsPb(Ix/Br1-x)3的纯红色PeLED中，实现了26.9%的高外量子效率，并在初始亮度为100 cd m−2时将工作半衰期显著延长至61.2小时，比采用多层纳米晶的对照器件长300多倍。创新
大卫等在《Advanced Materials》中发表文章，报道了一种近红外(≈797 nm)PeLEDs，其峰值外量子效率 (EQE)≈24.7%，且在宽电流密度范围(70-1200 mA cm
，从而消除了印刷薄膜中的缺陷。所得准二维钙钛矿薄膜表现出令人印象深刻的 37.40%
的光致发光量子产率以及优异的发光稳定性，使其成为各种光电子应用的有前途的候选材料。总体而言，本研究突出了 MOF
裂纹。3. 性能提升与图案化应用通过优化 MOF 浓度(如 15 mg/mL 苯甲酸处理)，所得准二维钙钛矿薄膜的光致发光量子产率(PLQY)高达
37.40%，显著高于传统印刷方法，且在环境空气
结果的综合分析表明，PM6:L8-BO:Z-Tri共混膜中的两个受体之间形成了混合受体相，导致较低聚集引起的淬灭(ACQ)和优异的光致发光量子产率(PLQY)。
该文章研究了如何通过控制界面来提升准二维钙钛矿发光二极管 (Pero-LEDs)
的性能。准二维钙钛矿具有高激子结合能和优异的光致发光量子产率，但在Pero-LEDs中却存在载流子注入不平衡和非
电子注入效率，还改善了结晶质量并减少了缺陷密度。最终，优化后的器件实现了高达
26.25% 的最大外量子效率 (EQE)，亮度也提高了三倍。该研究为形态控制提供了一种简单且可扩展的方法，为高性能
