触电原因

在高温区稳定性好，对工艺的兼容性也很好。二、烧结温度的调节方法目前的太阳电池使用的是正背共烧工艺，正面的烧结显得更加重要，因为银硅的欧姆接触相对较难，其接触电阻占串联电阻份额较大，因此铝浆、背银的设计
效率的情况下，有时温度调节不能完全保证消除弓片，只是降低其严重性。（2）鼓包和铝珠鼓包现象是经常出现的外观问题，除了浆料本身的原因之外都可以通过调节烧结区的温度来解决。铝珠一般都是烧结区温度

出选择性发射极架构。尤其是开发的激光光学部件可以在常规扩散处理后，将磷硅玻璃层中的含磷介质扩散到太阳能电池的发射极中，从而消除所有缺陷。因此可以借由局部增加磷原子的二次掺杂，以显著促进晶体和接触电极之间
选择性发射极创建工艺只需要最低的生产成本，这也正是为什么该工艺能够帮助其客户提高盈利能力的原因。世界知名光伏制造商，诸如博世（Bosch）、康能（Conergy）和英利（Yingli）均已采用了这项技术

光伏业务发展总监Stephan Lauer先生评价道：“该款连接器仅包含几个元件，安装十分简单，接触电阻非常低，极大地提高了光伏发电的效率；同时现场装配式连接器和设备连接器的接头元件均可拆卸，并可兼容
用光伏接插件测试中，专用于光伏系统的PST 40ix插拔式接头成为最后的赢家。究其原因，威琅电气对于研发的持续投入不可忽视。 目前，国内多家逆变器厂商也成为了威琅电气的合作伙伴，如合肥阳光、北京昆兰等。同时，威

明显下滑，直至 2009 年第二季度才开 始逐渐复苏，此后直至目前一直保持了较好的增长态势;2010 年国际光伏市场满产满销的 原因之一是欧洲各国逐步调低了光伏上网电价的补贴，光伏电站投资商均希望赶在
费用4，627.671，977.491.95%134.02% 合计29，316.559，888.1412.34%196.48% 销售费用比上年增加219.56%，主要原因是经营业务增长引起的运费等支出的增加;管 理费用比上

组件美观。但更重要的是：串焊机的焊接可靠性要远大于人工焊接。焊接不良是导致组件提前失效的重要原因。太阳能光伏组件的设计寿命为25年，而组件通常都安装在户外，每天要承受30℃左右的温度变化，加上季节更替温度
不良焊接的原因很多。比如：焊台的温度、助焊剂的涂布、电烙铁的温度、人员的熟练程度等等。有些方面是可以通过有效的管理来解决的，而有些情况是无法完全控制的，对于人工焊接过程中影响焊接可靠性的因素，全自动

单体具有更大的共轭体系，电子更易于移动和迁移，而且电聚膜与垫底接触电阻小，因此表现出比其单体更佳的光电性能。除有机光敏染料外，影响光电性能的还有电解液的酸碱性和氧化还原性质以及环境中的氧化性和还原
是GaAs／A1xGa1-xAs电极量子产率高的一个重要原因。另外GaAs／AlxGa1-xAs和InxGa1-x/GaAs两种量子阱在非水溶液中都表现出光生载流子界面隧穿电荷转移所导致的不同于体材料的

发生异常短路或异常停机时，必须查出真实原因并作出正确处理后，方可继续加工。 11、加工中因断线等原因暂停时，经过处理后必须确认没有任何干涉，方可继续加工。 12、修改加工条件参数必须在机床
允许的范围内进行。 13、加工中严禁触摸电极丝和被切割物，防止触电。 14、加工时要做好防止加工液溅射出工作箱的工作。 15、加工中严禁靠扶机床工作箱，以免影响加工精度。 16

除仅仅1.75 mm的硅就可以获得这种全光散射。等离子体粗糙处理的优点很多，包括更低的反射（从粗糙处理之前的35%下降到10%）、斜入射光耦合和更低的接触电阻（因为硅衬底和银电极之间的接触面积更大）。我们
多孔硅而言，在多晶衬底上生长的外延层质量较差，这个事实可以解释性能下降的原因。目前正在优化工艺，在不久的将来有望获得更高效率的增益。 　　多晶硅薄膜的改进 　　对于另一种类型的太阳能电池，也就是基于

原因是，（1）CdS层高度惨杂，因此耗尽区只是CdS厚度的一小部分；（2）由于CdS层内缺陷密度较高，空穴扩散长度非常短，如果耗尽区没有电场，载流子收集无效。 因此减少缺陷密度，可使扩散长度
／)，对于太阳电池基区光子的吸收、少数载流子的收集，因而也即对光电流的收集产生了非常有利的条件。这也就是CdS／Cu1nSe2太阳电池会有39mA/cm2这样高的短路电流密度的原因，这样小的吸收长度

悬挂键得到适量氢的完全补偿，使得隙态密度低，结构保持最高的稳定性。寻找理想廉价的工艺技术来实现这种理想的结构，应能从根本上消除光致衰退，这是一项非常困难的任务。2．6 a-Si太阻电池效率低的原因
效率的一半，其它品种的太阳电池实际达到的光伏性能与理论值相比，差距都小于非晶硅的差距。a-Si太阳电池效率低的主要原因如下： 1）a-Si材料的带隙较宽，实际可利用的主要光谱域是