频次是去年的五倍。实际上,与组件生产相比,设备和基础材料听起来似乎要更具技术含量一些。以对光伏电池的性能,如接触电阻、开路电压、填充因子、转换效率等有很大影响的银浆为例,每个银浆生产企业对主要原料的
兆瓦,原因还是高效电池眼下的成本较高。比起普通组件,Panda的成本要高出15美分/瓦。熊景峰说。熊正在想办法降低Panda的成本,我们的计划是5年内实现电池效率最低20%,成本力争比现在的Panda
倍。
实际上,与组件生产相比,设备和基础材料听起来似乎要更具技术含量一些。以对光伏电池的性能,如接触电阻、开路电压、填充因子、转换效率等有很大影响的银浆为例,每个银浆生产企业对主要原料的
只有200兆瓦,原因还是高效电池眼下的成本较高。比起普通组件,Panda的成本要高出15美分/瓦。熊景峰说。
熊正在想办法降低Panda的成本,我们的计划是5年内实现电池效率最低20
展示的频次是去年的五倍。实际上,与组件生产相比,设备和基础材料听起来似乎要更具技术含量一些。以对光伏电池的性能,如接触电阻、开路电压、填充因子、转换效率等有很大影响的银浆为例,每个银浆生产企业对
使得电池的寿命长,这就需要我们自己的技术。英利目前具有600兆瓦左右的Panda电池生产能力,但是去年出货量只有200兆瓦,原因还是高效电池眼下的成本较高。比起普通组件,Panda的成本要高出15美分
/c-Si界面质量,不断降低缺陷态密度。2.优化光陷,降低反射率。3.提高透明导电膜的电导率,透射率。4.降低金属栅线的接触电阻。光伏技术:PECVD技术难点1.等离子体的不稳定性。等离子体的稳定性是
状态,改变其中活性粒子的种类及数量,从而改变所沉积薄膜的性质;另外在大规模生产中,在较大的面积上保持等离子体的均匀性也是一件困难的事。这种差异的原因往往是隐性的,解决这一问题需要精通等离子体的专业知识
因素平衡的结果:一方面要有高的透过率;另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。对此,各光伏" title="光伏新闻专题"光伏生产厂家有许多不同的制作工艺。通常电池片正面(负极)的梳子状电极结构
在工艺卡上。13.一旦背电极有漏印现象发生,应立即停止印刷,并查找原因(浆料太少、网孔堵塞)。14.铝背场印刷时,要定期地刮网板上的浆料,一般以印一盒为准,当然网板上的浆料少时,更要勤刮;不要等到硅片
1#银粉的转换效率高而接触电阻却较低,这可以说明在相同的粒度范围内,银粉以亚球形比混合型好。相比P-1#和P-2#银粉,银粉粒度增大,但电池片转换效率反而下降,且接触电阻增大。说明银粉的粒度分布大于纳米
。当保温时间为5min以上时,随着时间的增加,电阻率明显升高,银膜导电性能降低。产生这一现象的原因是当保温时间过长时,玻璃粉过早进入软化状态,并且长时间的软化态玻璃会沉积于基板与银膜之间,而与银膜中的
焊带连接;组件层压封装好后,再组装上接线盒、边缘密封胶和边框。因此,造成组件封装损失的可能因素无外乎是太阳电池和组件的封装材料。我们把封装损失的原因按照属性不同分为两大类:光学损失、电学损失。下面详细
问题。因此,需要选用适合宽度和厚度的焊带制作组件,才能防止过多的组件功率损失在焊带上。焊接工艺也严重影响组件的功率,如果组件焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题,会造成较高的接触电阻,降低组件的输出
组件封装损失的可能因素无外乎是太阳电池和组件的封装材料。我们把封装损失的原因按照属性不同分为两大类:光学损失、电学损失。下面详细讨论这两类中的各种影响因素。 光学损失从理论上讲,单结硅系太阳电池不能
焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题,会造成较高的接触电阻,降低组件的输出电流;不合适的焊接工艺还有可能造成电池的电极与硅片脱落,无法收集电流,从而造成封装损失的增加。 封装实验及讨论不同氮化硅
好后,再组装上接线盒、边缘密封胶和边框。因此,造成组件封装损失的可能因素无外乎是太阳电池和组件的封装材料。 我们把封装损失的原因按照属性不同分为两大类:光学损失、电学损失。下面详细讨论这两类中的各种
选用适合宽度和厚度的焊带制作组件,才能防止过多的组件功率损失在焊带上。 焊接工艺也严重影响组件的功率,如果组件焊接过程中存在虚焊、漏焊等焊接不良的问题,会造成较高的接触电阻,降低组件的输出电流;不合适
:起因于共轭高分子的HOMO(最大占有分子轨道)级与电子受体分子的LUMO(最小非占有分子轨道)级之级差。以图1为例,对应于两个能级的级差,实际得到的开路电压0.6V相当小,考虑是电压损耗等若干原因。可大
,应尽可能减小相当于串联阻抗的界面接触电阻和电极薄片阻抗等。而且,生成的电荷有助于有机薄膜的内部电场,并各自输送空穴和电子。整块异质结的结构,对共轭高分子与电子受体分子两方面与电极接合的可能性大,产生