、正表面氮化硅薄膜钝化、铝背场、钝化发射极和背面电池技术、量子隧穿氧化层钝化接触等。 目前行业中占绝对主流的电池以P型电池为主,其主要特征是电池的正负电极分别位于电池的不同面(正面或背面)。MWT背
研发的多晶硅(Multicrystalline)电池片实验室效率达到23.3%,并被收录于NREL电池片转换效率纪录表中,随后阿特斯宣布将该效率提高至23.81%。7月,晶科宣布其研发的N型单晶硅单结
电池片效率达到24.79%,2021年1月,将该纪录再次刷新到24.90%,创造了新的大面积N型单晶钝化接触电池片效率世界纪录。我国除了在晶硅电池技术方面领先全球外,钙钛矿、有机电池等电池片实验室效率也
了设备新需求。
例如,在硅片环节,近些年光伏市场金刚线切割已取代了砂浆切割技术,设备更换为金刚线切片机;在电池环节,从传统的铝背场电池(AI-BSF)过渡到新一代常规技术发射极钝化和背面接触
?
毫无疑问,我国碳中和目标指引下,光伏应用市场规模将再次迎来爆发性增长。在资本市场上,光伏板块被贴上了高成长标签,当然光伏设备企业亦将受益。
不少投资机构纷纷看好大尺寸硅片和HJT电池技术进步带给设备企业的
,电池片厂商开始相继布局具有更高效率,更低衰退率,更高发电量的N型太阳能电池技术,例如隧穿氧化钝化接触电池(TOPCon),异质结电池(HIT)和背接触电池(IBC)等。与此同时,设备厂商正在布局
政策的实施,使得被压制的新建产能对供给的影响在2020年显现。(2)双玻渗透率由2019年的14%增长至2020H1的25%,光伏玻璃需求量激增。(3)双玻与大尺寸组件对玻璃尺寸、薄片化和加工工艺要求趋
韩华专利ZL201080026335半导体设备和半导体设备制造方法和专利ZL200880124779用于制造具有表面钝化介电双层的太阳能电池的方法以及对应的太阳能电池的无效申请,中国国家知识产权局分别于
、丝网印刷和 光注入退火五个环节,对应设备分别为制绒清洗设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备和光固化炉。HJT 特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构对工艺、设备、生产环境、操作
Emitter and Rear Cell)是指发射极及背面钝化电池,是目前量产效率最高的单晶硅电池。
HJT电池的光电转换率高于PERC电池,且衰减率更低,其劣势在于成本偏高。今年以来,HJT电池的
各项成本已大幅下降,尤其是在设备投资方面。据SOLARZOOM 新能源智库统计,HJT相关设备在近一年里已完成国产化,总成本从去年11月的17亿元/GW,下降至4亿元/GW。
业界对HJT电池的
、扩散炉、在线湿法刻蚀机、背钝化、PECVD、激光开槽、丝网印刷机以及测试分选设备。目前,我国光伏电池设备制造企业通过工艺与装备的创新融合,以提高设备产能、自动化程度及转换效率为目标,同时适应大硅片生产
押注看好的下一代技术。由于光伏电池行业有专业的设备生产商,行业内人员流动频繁,几乎没有技术壁垒。这意味着在下一代技术突破临界点后,押对方向的生产商,将享有最好的利润回报,并可以在最佳时机扩产,就像通威股份
在PERC电池上超前布局和大规模扩产。以PERC电池产能计,通威股份为全球第一,爱旭则紧随其后。
PERC电池即钝化发射极和背面电池技术,最早可追溯至上世纪80年代,通过在常规电池的背面叠加钝化层
钝化较好,但是均匀性较差并且维护成本较高。 非晶硅薄膜沉积设备技术壁垒高,以进口为主、造价相对较高。HIT 非晶硅沉积 PECVD设备与常规产线 PECVD 镀膜设备结构完全不同,目前应用材料