被钝化设备

技术差距 PERC电池核心设备的发展呈现出进口替代的趋势，国内设备厂商不断弥合技术差距。 在 PERC 电池发早期，国产设备与国外设备差距较大，核心设备完全被国外厂商垄断，国产设备仍处于早期的试产

22.1%和22.4%的转换效率。当然，离子注入技术的量产化导入，设备和运行成本是考量的关键。 陷光与表面钝化技术 对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的
电流。同时，背部采用优化的金属栅线电极，降低了串联电阻。通常前表面采用SiNx/SiOx双层薄膜，不仅具有减反效果，而且对绒面硅表面有很好的钝化效果。目前IBC电池是商品化晶体硅电池中工艺最复杂

。 3.2实验研究内容 实验研究背钝化技术在激光开槽过程中激光设备各项参数等对电池性能的影响，主要研究内容为： 1. 不同激光功率对电池片性能的影响。实验根据激光器固定参数设定不同的输出功率，以研究
时，电池片填充因子FF也呈下降趋势，进一步影响了电池片效率。这可能是由于在激光开槽的过程中，激光能量被SixNy/Al2O3钝化介质膜吸收的同时，少部分溢出的能量也会被硅衬底吸收; 事实上，激光

非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎
路线 (1)HJT采用了与传统晶硅电池工艺设备不兼容的薄膜沉积的技术，设备一次投资高，带来成本的上升，通过推动HJT产业规模化发展，设备成本有望持续下降，接近与PERC持平。 (2)N型硅片市场

损失，如：采用减反膜、采用凹凸结构;表面钝化技术;减少投射损失;设计 p-i-n 结构;采用纳米结 构;增加导电通路，减少遮光损失等方式。从成本角度看，电池片成本的下降来源于原材料成本降低、设备效率提
、拉普拉斯均可提供低压扩散炉。 薄膜沉积设备逐步突破，提效降本前景可期：在 TOPCon 电池制造工艺中，LPCVD 技术被大量应用于非晶硅沉积的 量产实践中。目前用于 TOPCon

更迭。 过于一年中异质结电池和大尺寸硅片成为行业热点，别问，问就是颠覆是看好者的普遍态度，并被频繁拿来和单晶替代多晶的路径做对比。而我们认为，与电池工艺路线、硅片尺寸变化相比，双面双玻组件对传统单面
。 阶段三(2018年至今)单晶价值获市场认可，市占率提升并恢复合理溢价：2017年底单多晶组件达到几乎同价，对市场形成直观、强烈的冲击，且单晶已在此前较长时间内保持相当高性价比后，单晶组件的价值才逐步被

提高至 25%以上， 且生产设备可在异质结(HJT)的生产线基础上进行改造;未来叠层电池，异质结与钙钛矿的叠层电池目前被证明是最可能产业化的方向，且可以基于异质 结电池向双结电池甚至多结电池进发
之一。异质结电池的核心特点 就是高开路电压，这来自于构成其 PN 结的材料是不同种类的，理论上就比同质结电池的电压要高。但其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化，对设备、工艺、环境、操作水平等要求非常高

。 UNSW(新南威尔士大学)认为(光致)再生过程的机理在于促使P型硅中存在的H+转化为H0，H0可以钝化BO+缺陷乃至金属离子如Fei+、Cri+，商业化的光致再生设备因需要高生产速率，因此需要利用
(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。 P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对相关

核心方法，但是在PERC电池和HJT电池制备工艺中却对应着截然不同的PECVD设备(前者为场钝化、后者为化学钝化)，这也是HJT电池制备与PERC电池生产线不相容的根本原因。印刷和制绒相对来说变动较小

等进一步的改进空间，但整体而言可能已比较接近效率极限。我们认为异质结电池相对现有技术路线的最重要优势在于其与铝背场电池在结构上的本质区别，本征非晶硅层优秀的钝化效果(同时具备材料层面的进步空间)、对称
结构天然的双面发电能力(亦可牺牲双面性兼容IBC工艺成为HBC结构)、TCO层可叠加钙钛矿涂层等多项传统电池结构无法具备的固有优势决定了HJT异质结可以被认为是下一代晶硅太阳能电池的平台级技术，目前