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薄膜硅设备
本竞争力不足，核心因素在于两方面： 1) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于HJT与目前主流的PERC产线不兼容，因此非晶硅薄膜沉积和TCO膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相对较大，但
增益显著;且仅有清洗制绒、硅基薄膜沉积、透明导电薄膜沉积和丝网印刷这四道工艺制程;此外，作为平台型技术，异质结有叠加其他先进工艺使转换效率更高幅度提升的潜力，是有望让光伏行业降本增效从希冀变为现实的
，钧石能源拥有自主知识产权的PECVD、PVD等核心生产设备技术，可兼容166mm、18xmm以及210mm尺寸硅片，适应未来行业的发展要求。
5月28日，通威宣布1GW高效异质结电池项目设备如期进场
也是影响光伏产品终端价格的核心因素之一。 在行业发展初期，受生产工艺水平较低影响，硅料用量比较大，原材料价格也偏高，导致当时硅料在光伏设备的总成本中占比极高。2010年，一个光伏组件中的电池成本（含
) 设备投资额度大，国产化进行仍在路上。由于 HJT 与目前主流的 PERC 产线不 兼容，因此非晶硅薄膜沉积和 TCO 膜沉积等核心设备需要重新购置，投资额度相 对较大，但电池效率体现的性价比
，并改进 TCO 镀膜环节工艺，ITO 靶材的耗用有望降低约 20-30mg/片，靶材成本有望持续下降。
2) 设备方面降本。HJT 制作工艺流程大幅简化，制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO 薄膜
和温度对拉力的影响较大,较低的温度和偏短的固化时间,将导致拉力偏低。为防止对非晶硅薄膜的损失,不管是烘干还是固化,最高设定温度最好不超过220C。
另一种金属化方法来自于总部位于瑞士的设备制造商
型单晶硅( C-Si )为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H 和掺杂的 P 型非晶硅(P-a-Si: H ),和硅衬底形成 p-n
：HJT发展潜力大，为下一代电池技术方向 HJT电池的生产工艺相对简单但技术难度高，设备国产化持续推进中。HJT只需4步工艺但技术难度较大：制绒清洗设备(投资占比10%)、非晶硅沉积设备(投资占比
成本组成分析，主要构成有转化效率、设备、硅片、关键辅材。其中银浆的降本是目前异质结电池在产业化中的难点，异质结低温银浆耗量在240 mg，单片耗量是PERC电池的近3倍。丝印技术作为银浆降本的技术路线之一
第二届中国泰兴太阳谷异质结产业项目推介暨国际论坛于江苏泰兴隆重召开。会上，德国于利希(Jlich GmbH)光伏研究中心高级硅异质结太阳能电池开发负责人端伟元进行了题为《高效率硅异质结太阳电池的
电池板生产设备： 非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化 电池DSSC生产技术及研究设备 半导体生产设备： 全套生产线、光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散\离子注入设备、湿法
输出功率1800w，可扩展到3600w。两款微逆最大直流输入电流可达20A，可完美匹配双面和182、210大功率组件。大电压扩展也可同时匹配晶硅和非晶硅组件，支持功率因数可调，远程升级等一系列功能;顺应
应用于光伏存量市场和新增市场;安装灵活方便，支持多种工作模式，有单相和三相机型，48V低压电池输入，保障用户安全，转换效率高达96.5%，具备离网功能，可以毫秒级切换备用设备给家庭负载供电。储能逆变器和
痛点，施正荣怀揣将光伏带进千家万户的使命创建上迈新能源，致力于轻质柔性光伏组件研发与产业化。
凭借数十年薄膜技术的科学研究经验，施正荣带领研发团队经过无数次实验，最终选择了经过市场广泛验证的晶硅
电池为上迈产品的核心发电部件，并抛弃用了数十年的玻璃前板，使产品实现了晶硅产品的高效可靠低成本和薄膜产品的轻质柔性易安装的特性。
在封装材料方面，施正荣以其超出时代的眼光要求研发团队跳出光伏，果断抛弃
