薄膜硅设备
制成。从成本端看，HJT与PERC在制造工艺与生产设备最大不同之处在于非晶硅薄膜沉积与导电膜沉积环节。非晶硅薄膜沉积所需设备PECVD目前主要依靠进口，单GW设备投资额在5亿元左右，国内设备厂商钧石
开路电压，从而提高电池片的转换效率，平均转换效率比PERC电池高出约1%。HJT电池片工艺主要是制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备四大步骤。
HJT目前规划产能达70GW，越来越多企业投身
降低表面复合和金属接触复合，为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。
TOPCon电池最大程度保留和利用现有传统P型电池设备制程，只需增加硼扩和薄膜沉积设备，无须背面开孔和对准，极大的
异质结电池项目负责人易治凯认为，随着异质结设备成本、非硅成本快速下降，电池成本在未来3年可降至0.8元/W，产品效率大幅提升，爱康将凭借更高性价比赢得更高市场份额。随着异质结电池的降本和技术革新，未来
爱康湖州基地产品出片速度已提升至每小时1200片，后期将逐步提升;另外产品技术方面也取得重大突破，其中PECVD工序在一定条件下电池核心性能少子寿命平均突破3.5ms(毫秒)，从而导致TCO导电薄膜
技术，也称为基于硅晶圆的技术和(2)薄膜技术(TFT)。薄膜技术也可以使用非晶硅、碲化镉(CdTe)或铜铟镓硒作为半导体材料。使用晶体硅(c-Si)技术和薄膜技术的光伏电池都属于涉案产品。光伏电池在市场上
数据来源：索比咨询整理
表：部分非晶硅薄膜沉积设备供应商
数据来源：索比咨询整理
表：部分TCO层沉积设备供应商
数据来源
低温工艺下，硅片更易于实现薄片化以降其成本;银浆国产化和规模化生产会直接降低其价格，多主栅工艺也降低单片耗银量;设备进口替代降低投资成本，同时设备单位处理能力提升，有效降低单瓦成本。
异质结生产设备
大于24.5%，并累计获得了异质结客户10家，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。
HJT技术前瞻
与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极
前面3-4年的培育，①在设备厂商的协同合作下，设备国产化并使得整线投入大幅下降，可与PERC产线成本相比较(一般认可高20%以内);②辅材(低温银浆、靶材等)国产化并形成规模效应，可使非硅成本较大
，通过验收7家，这代表着我国国产异质结设备逐渐成熟。
HJT技术前瞻
与其他电池技术相比较，HJT核心工艺只有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备4个步骤，加之HJT电池天然的对称结构使其
第五次技术革命：20家企业异质结产能规划超50GW
中国光伏发展十余年间，经历了产业奠基、硅料国产化、金刚线助力单晶替代多晶、PERC电池技术替代铝背场电池的四次重大革命。而随着PERC技术潜力
(38 个)
51. 一带一路临港产业园
52. 隆基绿能年产 15GW 高效单晶电池
53. 奕斯伟硅产业基地(一期)二阶段
54. 安康中航驰智能终端电子设备制造
55. 安康阿尔法智能终端
硅科技产业园
42. 安康锂电新能源关键正极材料生产线
43. 宝鸡 510 吨/年贵金属催化剂制备与再生
44. 韩城润阳 50 兆瓦风力发电(一期)
45. 汉中高端原料药新区
46.
薄膜组件，在会上引起了部分争议，一些成员认为薄膜组件和晶硅组件不应采用不同的载荷强度，而800Pa的强度太低，无法满足实际应用中的要求。 IEC TS 62915 ED2 Photovoltaic
First Solar所说，大多数是同意成立工作组进行讨论。但是，根据目前的提议，晶硅没有降低，只是对薄膜降低载荷强度，并且根据不同的区域和安装条件进行区分。对此，会议上不少晶硅厂商表达了反对意见，认为晶硅
