薄硅片
双面发电的大趋势。随着设备国产化、硅片减薄、低温银浆用量等成本降低，未来 HIT 电池有望取得长足发展。 然而，尽管在转换效率等方面存在较大优势，HIT 电池的短期发展存在一定的瓶颈。其主要的
研究的科学家，感兴趣的是用太阳能电池直接发热。目前技术生产的太阳能电池是在一块很薄的硅片下，放一块更薄的浸过硼的硅片，可以将太阳能直接变成电能。光线照在上层，使电子迁移到下层，这就在两层之间产生电压差
成本主要来自硅(47%)、浆料(24%)、折旧(6%)、靶材(5%)。具体来看：1)硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄空间45%;2)浆料成本降低空间主要来自减量和降价，未来减量空间40%、降价空间30
全产业链协作。 新产品提升硅片面积80.5%，但拉棒复投增加且分摊成本上升，硅片生产成本优势或并不显著;而由于单片尺寸提升，下游电池组件环节有望受益生产率提升带来的固定成本摊薄;而对于终端用户，8.8%的
，Lin报告说，硅片和电池部门目前是制造商最赚钱的部门，因此是未来两年内在低季节降价的最有可能的部门。
Jenny Chase表示，她对价格的看法可能会被视为令人失望，因为她预计未来两年内会有很多
多晶硅片生产多晶硅价格降至55-57元人民币(7.8-8.8美元)/公斤。Lin表示，单晶硅的多晶硅价格将保持平稳，新的中国产能供应市场，而非中国多晶硅制造商退出，导致供需平衡。
Lin还预计，中国
。 针对中环最新发布的M12大尺寸硅片，张凤鸣指出，随着硅片、电池片尺寸增大，单片电池的成本有所增加，但由于设备折旧和人工成本摊薄方面的优势，可以显著降低单瓦成本。根据测算，采用大尺寸边距的硅片可以
不断降低制造成本与提高效率的历史。在硅片端，使用更大、更薄的硅片，以降低成本。在电池端，从BSF电池到PERC电池，不断进行技术创新。组件端，从半片到MBB到拼片，到叠瓦，不断降低内阻，提高组件可利用
方形硅片)再到166毫米，硅片尺寸增大可摊薄组件制造的非硅成本，其高功率组件还可降低系统度电成本，硅片向大尺寸方向发展本无可争议。 但这仍然属于泛8英寸硅片的范畴，自中环股份2007年于国内率先拉制
、TOPCon技术及应用前景、PERC产线升级钝化接触技术的工艺方案等。以正泰AstroTwins单晶半片双面双玻组件为例，徐博士介绍该产品应用大尺寸硅片、SE+PERC技术、9BB及半片等新一代技术并合理配比
：主栅越多，细栅更细更薄，节省银浆35%左右
电阻降低：密集焊带互联，减少电流在细栅上的能耗， MBB+半片功率提升15~20W
光学增益：圆形焊带， 可以增加光线的再次利用率
裂片影响小：更密集
及应用前景、PERC产线升级钝化接触技术的工艺方案等。以正泰AstroTwins单晶半片双面双玻组件为例，徐博士介绍该产品应用大尺寸硅片、SE+PERC技术、9BB及半片等新一代技术并合理配比实现高效
越多，细栅更细更薄，节省银浆35%左右
电阻降低：密集焊带互联，减少电流在细栅上的能耗， MBB+半片功率提升15~20W
光学增益：圆形焊带， 可以增加光线的再次利用率
裂片影响小：更密集的主栅
