薄晶体薄膜
突破性进展。他们设计和制备的叠层有机太阳能电池材料和器件，实现了17.3%的光电转化效率，刷新了世界纪录。
相比硅基无机太阳能电池，有机太阳能电池可以弯曲，并且足够薄，可在建筑物或服装内弯曲和扭曲
带来很大的改变。
NO.4 美高校研制双层薄膜太阳能电池光电转换效率22.4%创纪录
2018年9月，美国加利福尼亚大学洛杉矶分校等机构的研究人员开发出一种新型薄膜太阳能电池，其双层设计大大提高
。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电池的减反射膜(ARC，antireflection coating)。
管式PECVD的原理就是通过脉冲
层表面具有溅射清洗作用，溅射掉那些结合不牢的粒子，从而加强了形成的薄膜和基片的附着力;
(4).由于反应物中的原子、分子、离子和电子之间的碰撞、散射作用，使形成的薄膜厚度均匀
3、镀膜的方式分类
。所以为什么做薄膜材料的人就想做薄膜组件，因为薄膜轻柔薄美，能应用于任何场合。 我今天给大家介绍一款产品一个技术，没有玻璃，所以新材料无玻璃无边框是一个全新的晶体硅薄膜组件产品，它完全满足了这样的
，光电池成本及售价将会大幅下降。2010 年 以后，由于太阳能电池成本的下降，可望使光伏技术进入大规模发展时期。随着技术的进步，薄膜太阳能电池的发展将日新月异，在未来光伏市场的市场份额将逐步提高。作为性能
最好的薄膜太阳能电池，CIGS 薄膜太阳能电池也将迎来快速发展时期。
1、 CIGS 电池的结构
铜锢稼硒(CIGS)薄膜太阳能电池， 具有层状结构， 吸收材料属于 I -III-VI 族化合物
。
降本逻辑：功率提升降低BOS成本，或发电量增加摊薄度电成本(降低分子+提升分母)。光伏电站初始投资成本可分为：1) 组件成本，占比约50%;2) 与功率有关的BOS成本，如
土地、支架、人工等，占比约20%;3) 与功率无关的BOS成本，如逆变器、升压设备，占比约30%。因此，组件功率的提升可以通过摊薄BOS成本来实现系统单位投资的降低。
测算显示，60片组件的
，SJT等)，通常以n型晶体硅作衬底，宽带隙的非晶硅作发射极，典型结构如上图所示。该电池具有双面对称结构，n型硅衬底两侧两层薄本征非晶硅层，正面一层P型非晶硅发射极层，背面一层n型非晶硅膜背表面场;在两侧
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。
HIT太阳能电池的优势
低温工艺
由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
密度最低。在300℃热处理下，a-Si∶H/SiNx薄膜的 钝化效果能在至少90min以内始终保持优于a-Si∶H薄膜的钝化效果。以上结果对于a-Si∶H/SiNx薄钝化膜在晶体硅太阳电池产业中的
浮法型硅片的单结PERC太阳能电池取得了接近25%效率。
从理论上来说，PERC概念的优势在于它不必像叉指型背电极(IBC)和本征薄膜异质结(HIT)电池(可残酷Maruyama等和Mulligan
。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
，晶体硅的光电转化效率从16.5%稳定增长到20%或以上的工业水平。而薄膜技术，不仅其原料很昂贵、无法循环利用，而且在光电转化效率上也赶不上晶体硅，同等输出功率，薄膜需要的面积远超出晶硅。所以，除非
1、HIT电池结构和原理
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写，意为本征薄膜异质结，因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被
构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT
