薄晶体薄膜

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太阳能硅片行业:2018年单晶市占率将超40%来源:高科智库 发布时间:2018-04-25 09:24:22

实现产业链整合、降低成本的重要影响因素。企业竞争力的提升最终归于技术进步与创新。技术创新的重点领域应在于重点推进晶体桂材料提纯技术、光伏电池转化效率技术的提升,开发新型应用技术,减少产业链条的能源消耗
,或者走国内联合幵发的道路。 在现在太阳能电池髙成本的推动下,桂片制备的技术进步很快,鞋片越来越薄,成本越来越低。因此投资多晶桂片的制备要注重技术的引进和消化吸收,做好技术积累。另外,可以投资多晶桂

今天最火的电站居然是它!(附光伏建站干货知识)来源:晶太阳 发布时间:2018-04-04 14:00:06

存在差异,其原因在于材料的不同,薄膜太阳能电池采用了不同的化合物。 传统的太阳能板用的是晶体硅(C-Si),这项技术已经发展多年,比较成熟可靠。值得注意的是,虽然C-Si具有较高的能量
转换效率,但是实际吸光效率较差,这就意味着太阳能板必须足够厚,才能提高实际效率。 与此不同的是,薄膜技术可以混搭多种元素,比传统太阳能板薄350倍左右,通过在玻璃、金属、塑料等材料表面镀膜或者沉积就可以

阿特斯荣获第十九届中国专利优秀奖!来源:索比光伏网 发布时间:2018-02-06 09:28:55

此次获奖专利,首次提出了一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法。本专利通过臭氧氧化的工艺,在硅基底与氮化硅之间迅速的生成一层薄而致密的氧化硅层,该氧化硅层既满足抗PID的需求,又避免了氧化硅层过厚带来
近日,国家知识产权局公示了第十九届中国专利奖获奖项目。阿特斯阳光电力集团的发明专利 一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法 荣获第十九届中国专利优秀奖。中国专利奖是国家专利领域的最高奖项。 阿特斯

中环股份沈浩平:光伏三十年(附中环发展规划解密)来源:索比光伏网 发布时间:2018-01-06 16:58:01

创新,可以将其目前主导产品直径为8英寸的N型、P型晶体生长速度提升30%; 二是通过对切割钢线形态调整、关键工艺设备改造,使156MM的太阳能级硅片的晶片厚度减薄了20微米,产能提升25%以上
,却在光伏大佬圈中如雷贯耳。他在一线研究晶体生长技术三十余年,是国内区熔晶体生长技术的顶尖高手,与施正荣、苗连生,小师弟李振国一起为中国光伏行业并肩奋战,相互扶持,随着中国光伏行业的起起伏伏,大量淘沙

什么是光伏组件隐裂?如何检测?来源:网络 发布时间:2017-12-21 14:05:27

近几年,晶硅组件厂家为了降低成本,晶硅组件越做越薄,从而降低了电池片防止机械破坏的能力,从而导致了在运输和安装过程中组件隐裂的产生,下面让我们详细的了解下组件的隐裂。 什么是光伏组件隐裂? 隐裂
几乎不影响细栅线,因此造成电池片失效的面积几乎为零。 相比于晶硅电池表面的栅线,薄膜电池表面整体覆盖了一层透明导电膜,所以这也是薄膜组件无隐裂的一个原因。 有研究显示,组件隐裂严重时,会导致

李河君与孙正义: 谁将手握太阳能的秘钥?来源:中国网 发布时间:2017-11-30 23:59:59

,他要进军薄膜太阳能产业。 如同孙正义无比笃信移动互联网时代的明天,李河君也选择拥抱未来:他认定薄膜轻、薄、柔的特点具有更广泛的应用前景,且未来转化率必将超过晶硅。 汉能正式宣布进军薄膜时,李河君几乎

李河君与孙正义:谁将手握太阳能的秘钥?来源:91门户 发布时间:2017-11-30 23:59:59

,他的目光已经扫向远方,他要进军薄膜太阳能产业。如同孙正义无比笃信移动互联网时代的明天,李河君也选择拥抱未来:他认定薄膜轻、薄、柔的特点具有更广泛的应用前景,且未来转化率必将超过晶硅。汉能正式宣布进军

汉能集团创始人李河君:早知天命二十年来源:光伏盒子 发布时间:2017-11-26 18:17:59

的东西和天空——薄膜轻、薄、柔的特点具有更广泛的应用前景,而且未来薄膜的转化率必将超过晶硅。2009年,汉能进军薄膜。当时业内外一片哗然,一如当年李河君选择承建金安桥水电站项目时。 “做水电站时

受蝴蝶启发的光伏技术可将光吸收率提高多达200%来源:光伏盒子 发布时间:2017-11-21 18:17:43

太阳能电池大多数采用晶体硅作为材料。 图片来源于:维基百科 然而,相对于传统的晶体硅太阳能电池,薄膜光伏模块是一个经济上颇具吸引力的替代品,因为它的光线吸收层可薄至1/1000,因此材料消耗大大

【科普篇二】家用光伏电站科普100问,你问我来答来源:光伏家平台 发布时间:2017-11-07 17:12:02

发现了砷化镍有光伏效应,并在玻璃上沉积硫化镍薄膜,制成了太阳能电池,太阳光转化为电能的实用光伏发电技术由此诞生并发展起来。 2014年初我省金寨县为落实省委政府精准扶贫新要求,实施产业扶贫“到村、到户
特有的电特性是借助与在晶体硅中掺入某些元素(例如磷或硼等),从而在材料的分子电荷里造成永久的不平衡,形成具有特殊电性能的半导体材料,在阳光照射下具有特殊电性能的半导体内可以产生自由电荷,这些自由电荷定向