近几年，晶硅组件厂家为了降低成本，晶硅组件越做越薄，从而降低了电池片防止机械破坏的能力，从而导致了在运输和安装过程中组件隐裂的产生，下面让我们详细的了解下组件的隐裂。
隐裂是指电池片（组件）受到较大的机械或热应力时，可能在电池单元产生肉眼不易察觉的隐性裂纹。
根据电池片隐裂的形状，可分为5类：树状裂纹、综合型裂纹、斜裂纹、平行于主栅线、垂直于栅线和贯穿整个电池片的裂纹。
隐裂对光伏组件的影响
电池片产生的电流要依靠“表面的主栅线及垂直于主栅线的细栅线”搜集和导出。当隐裂导致细栅线断裂时，细栅线无法将收集的电流输送到主栅线，将会导致电池片部分甚至全部失效。
基于上述原因，我们可以看出对电池片功能影响最大的，是平行于主栅线的隐裂。根据研究结果，50%的失效片来自于平行于主栅线的隐裂。
45°倾斜裂纹的效率损失是平行于主栅线损失的1/4。
垂直于主栅线的裂纹几乎不影响细栅线，因此造成电池片失效的面积几乎为零。
相比于晶硅电池表面的栅线，薄膜电池表面整体覆盖了一层透明导电膜，所以这也是薄膜组件无隐裂的一个原因。
有研究显示，组件隐裂严重时，会导致组件功率的损失，但是损失的大小并不一定。裂纹对组件电性能的影响小，而裂片对组件功率损失非常大；老化试验，即组件在工作或非工作的情况下，温、湿度变化可能会引起电池片隐裂的加剧；组件中没有隐裂的电池片比隐裂的电池片抗老化能力强。
EL（Electroluminescence，电致发光）是简单有效的检测隐裂的方法。其检测原理如下。
电池片的核心部分是半导体PN结，在没有其它激励（例如光照、电压、温度）的条件下，其内部处于一个动态平衡状态，电子和空穴的数量相对保持稳定。
如果施加电压，半导体中的内部电场将被削弱，N区的电子将会被推向P区，与P区的空穴复合（也可理解为P区的空穴被推向N区，与N区的电子复合），复合之后以光的形式辅射出去，即电致发光。
当被施加正向偏压之后，晶体硅电池就会发光，波长1100nm左右，属于红外波段，肉眼观测不到。因此，在进行EL测试时，需利用CCD相机辅助捕捉这些光子，然后通过计算机处理后以图像的形式显示出来。
给晶硅组件施加电压后，所激发出的电子和空穴复合的数量越多，其发射出的光子也就越多，所测得的EL图像也就越亮；如果有的区域EL图像比较暗，说明该处产生的电子和空穴数量较少，代表该处存在缺陷；如果有的区域完全是暗的，代表该处没有发生电子和空穴的复合，也或者是所发光被其它障碍所遮挡，无法检测到信号。
隐裂种类虽然众多，但不是所有的隐裂都会对电池片有影响。在组件生产、运输、安装和维护过程中，考虑到晶硅组件的易裂特征，需要在安装电站的各个过程注意并改进作业流程，尽量减少组件隐裂的产生。对于检测隐裂，目前EL是最有效的方法。而导致组件隐裂的原因众多，要弄清楚原因后再追究责任，不能盲目听信他人之言。
