是一家瑞士建材制造商,也是全球最大的水泥制造商,Heliatek则是一家德国太阳能制造公司。新系统结合了两家公司的管道混凝土面板和轻质超薄太阳能薄膜HeliaFilm。与传统的晶体光伏相比
,最上面的混凝土层覆盖了一层光伏电池薄膜,为建筑产生能量。
这项发明照亮了光伏混凝土的未来,并证明了使用柔性模板和光伏元件构建薄混凝土外壳完全有可能。
新能源生活已经到来,以上的三个例子都告诉我
和掺杂 P 型非晶硅薄膜,与硅衬底形成异质结,背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄 膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜,最后在正背表面
大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。
三、异质结:技术逐步成熟,龙头积极布局
异质结(本征薄膜异质结,亦成为 HJT/SHJ),通常以 n 型晶体硅作衬底,宽带隙的
晶体硅太阳能电池的极限效率,29.43%。
制造业积极布局,量产转换效率突破 23%。从海外来看,LG 和REC 在TopCon 技术均有量产产能。国内方面,中来股份已实现
薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄 膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场 份额,但这些
转换效率突破25%:含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果,转换效率近年在晶硅电池中位居前列,纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。 异质结是
Heterojunctionwith Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结,因HIT已被日本三洋公司申请为注册商标,所以又被称为HJT或SHJ(Silicon
a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si:H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片,在两侧的顶层形成透明的电极和集电极,构成具有对称结构的HIT太阳能电池。
图表1:HIT太阳能电池结构
背面场(Al-BSF)到钝化发射机和背电池(PERC)技术,因为后者能与用于标准技术的现有生产线兼容。不过,依靠氢化非晶硅(a-Si:H)实现优异的晶体硅(c-Si)表面钝化性将使得将硅薄膜生产线
系统(从TEL太阳能KAI-MT PECVD反应器))进行现代化改造,并使之成为一条新的SHJ产线。Hevel是在2017年4月份使用由其公司内部薄膜技术研发中心(TFTEHevel一个研发部门)开发
击穿效应,是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据PN结内部结构的不同,分为同质结和异质结。HIT电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成,因此称为异质结电池。
异质结电池最早由日本三洋于1990年研发
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底,在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO
晶体硅材料,但非晶硅幕墙所采用的光伏组件薄膜电池本身透光性较好,而且在高温和弱光条件下也能发挥作用。相比晶体硅幕墙组件外观颜色单一,非晶硅幕墙组件能更好地与建筑物立面融为一体,不影响建筑的外观效果,也
按照光伏电池片的材质,太阳能电池大致可以分为两类,一类是晶体硅太阳能电池,包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池;另一类是薄膜太阳能电池,主要包括非晶硅太阳能电池、碲化镉太阳能电池以及铜铟镓硒
太阳能电池等。目前,以高纯度硅材料作为主要原材料的晶体硅太阳能电池是主流产品,所占的比例在 80%以上。
在晶体硅太阳能发电系统中,实现光电转换的最核心步骤之一是将晶体硅加工成实现光电转换的电池片的工序