纳米

2g,h)引发了该结构可扩展性的担忧。为解决这一问题，研究者提出了多种创新互连层方案以提高稳定性。其中SnO₂/纳米晶ITO/自组装单分子层(SAMs)结构兼具高透光性和优异导电性，其采用低温溶液法制
备的ITO纳米晶(NC-ITO)层能减少对底层子电池的损伤，并展现出550小时T95稳定性的优异表现(图2i)。另一种常用结构SnO₂/溅射TCO/PEDOT则通过溅射ITO或氧化铟锌等透明导电氧化物

目标，一道新能在底层晶硅电池研发上倾注巨大研发资源，采用了一道新能最新的TOPCon5.0技术作为载体，创新采用Polyfinger和纳米陷光等红外光增强吸收技术。该技术通过激光图形化工艺设计，能够敏锐捕捉长波

背面形成微米级“光陷阱”，可将红外光吸收效率提升0.3&-0.5%。纳米接触金属化技术则聚焦于降低电池内部的接触电阻，以纳秒激光诱导形成纳米级接触点，极大地降低了电子传输过程中的阻碍，接触电阻降低至

%Sb3+三掺杂磷光体的光致发光光谱。图4显示了三掺杂样品在455和611纳米发射波长下的光致发光寿命及其光致发光能量分布(PLE)光谱。图5展示了Cs2NaLuCl6： 5%Ag+、5%Bi3+

金属卤化物钙钛矿是用于发光二极管(LED)的很有前景的材料。利用纳米晶体/量子点、低维钙钛矿和超薄钙钛矿层对电荷载流子进行空间限制，都被用于提高钙钛矿发光二极管(PeLED)的外量子效率。然而

的示意图。b-d) 在400纳米激光激发下的光学图像，Rb-Cs合金化准二维钙钛矿L2(Rb/Cs)3Pb4Br13薄膜的稳态吸收和光致发光(PL)光谱。f) L2(Rb/Cs
)3Pb4Br13薄膜的X射线衍射(XRD)图谱。图 2. a, c) 在370纳米飞秒激光脉冲激发下，L2(Rb0.7Cs0.3)3Pb4Br13和L2Cs3Pb4(Cl0.25Br0.75)13薄膜的时间分辨

范德华异质结构a，二维范德华异质结构的示意图(左)，由金属性石墨烯、半导体型MoS₂和绝缘性HfO₂组成;以及相邻二维纳米片之间通过与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面活性剂发生C–H插入反应实现光交联过程的
导电的石墨烯、半导体型的MoS₂以及绝缘材料HfO₂三种功能不同的二维材料，构建了垂直堆叠的异质结构。其中，HfO₂的实现是通过对HfS₂片层进行氧化处理得到的。整个构建过程包括了旋涂二维纳米片、紫外