纳米

P2EH-1V 的不对称非富勒烯受体(NFA)，它“显着”增加了近红外(NIR)光的吸收。该方法使用单侧共轭 π 桥将器件的光学带隙降低到1.27 eV，同时保持“理想”激子解离和纳米形态

with carrier multiplication absorbers, J. Appl. Phys., 2006, 100, 074510. 刘长菊，卢敏，苏未安等，纳米半导体中多重激子效应

是因为窄带隙有机亚电池中的近红外光电流不足。基于此，新加披国立大学侯毅等人设计并合成了一种不对称非富勒烯受体(NFA)，P2EH-1V，P2 EH-1V具有单边共轭π桥，在保持理想激子解离和纳米形貌的

处理后重新取向的示意图。图 3. a) 器件结构示意图：对照组薄膜、含 Al₂O₃纳米颗粒的空穴传输层(ST-Al₂O₃)，以及结合 Al₂O₃纳米颗粒和 PEABr 的空穴传输层(ST-Al₂O
。e) 照片显示裸露 Me-4PACz 对钙钛矿的润湿性差，以及 PFN-Br/Al₂O₃修饰后润湿性的改善。f) 含或不含 Al₂O₃纳米颗粒的掩埋界面示意图。图 4. a) 涂覆在 ITO

电子信息、 航空航天、高端医疗器械、新能源等领域特定场景应用需求， 加强上下游协同创新，加快攻关突破超高纯低碳原材料制备、高精密加工成型、高纯微纳米级粉体制备等技术，形成一批高端新材料“货架产品”。完善创新平台
新材料攻关和应用重点方向高端新材料攻关：高精密金及金合金焊料、低温无压银(金)纳米焊膏、高服役可靠性金(银)键合丝、低( 无)氰金电镀液、金(银)纳米粉体等材料。高端新材料应用：半导体用高纯低碳金(银

：耐高温但易碎金属箔基底：耐高温但需要透明顶电极2. 透明导电电极(TCEs)：ITO是最常用选择，但在柔性基底上沉积温度较低，导致结晶度和导电性下降替代材料如PEDOT、石墨烯、金属纳米线等正在探索中

在ITO表面自发形成纳米抗反射结构，提升光子透过率。最终，基于该策略的PSC实现了26.6%的PCE，并在65°C下连续运行2800小时后仍保持96%的初始效率(ISOS-L-2协议)。研究亮点：超快
定。纳米抗反射结构提升性能：刻蚀过程中自发形成的纳米结构提高了ITO的光透过率，使PSC的短路电流密度(JSC)显著增加。Luo, C., Zhou, Q., Wang, K. et al.

方式在NiOx表面构建CoPc中间层：CoPcevap：通过热蒸发方法制备的薄膜;CoPcnws：通过温度梯度物理气相沉积(TG-PVD)方法形成的纳米线结构。通过比较三种HTLs(纯NiOx、NiOx
效填补NiOx表面孔隙;纳米线结构具有高比表面积，为电荷运输提供“高速通道”;Raman和XRD确认CoPc成功沉积并形成有序结构。光电性能测试：基于NiOx的电池PCE仅为18.1%;引入

2g,h)引发了该结构可扩展性的担忧。为解决这一问题，研究者提出了多种创新互连层方案以提高稳定性。其中SnO₂/纳米晶ITO/自组装单分子层(SAMs)结构兼具高透光性和优异导电性，其采用低温溶液法制
备的ITO纳米晶(NC-ITO)层能减少对底层子电池的损伤，并展现出550小时T95稳定性的优异表现(图2i)。另一种常用结构SnO₂/溅射TCO/PEDOT则通过溅射ITO或氧化铟锌等透明导电氧化物