硅片减薄

，间距越大。因为压力大时，刮刀与网版接触的地方凸出来的也越多。间距小的话，硅片承受的压力会变大，容易造成碎片。两个参数不能单独改变，否则会影响印刷质量和增大碎片率。4.烧结过程中，各温区的作用？室温
~300℃：溶剂的挥发。300℃~500℃，有机树脂排出，需要氧气。400℃以上，玻璃软化。600℃以上，玻璃与减反层反应，实现导电。5.出现铝珠怎么办？如果是印刷过厚，就调整参数，降低板间距，提高印刷压力

越大，间距越大。因为压力大时，刮刀与网版接触的地方凸出来的也越多。间距小的话，硅片承受的压力会变大，容易造成碎片。两个参数不能单独改变，否则会影响印刷质量和增大碎片率。4. 烧结过程中，各温区的作用
？室温~300℃：溶剂的挥发。300℃~500℃，有机树脂排出，需要氧气。400℃以上，玻璃软化。600℃以上，玻璃与减反层反应，实现导电。5. 出现铝珠怎么办？如果是印刷过厚，就调整参数，降低板间距

，电池效率提高，基片减薄，光伏发电系统能量回收期有可能降到1年。若按其工作寿命为30年计算，则光伏发电系统的能量增值效应可以达到20倍以上。技术进步很快，已经不需要再等待了。史珺说，若按照上述MP法提纯多晶硅
（即六个9）太阳能级多晶硅，99%以上硅元素自始至终不发生化学反应，完全没有污染排放，是目前世界上最为清洁的多晶硅生产工艺。正如晶科自身表述的，原因可能出在管理疏忽上。史珺告诉记者，一般硅片加工中的污染

即可全部实现能耗等量回收的对冲。 　　随着太阳级硅材料能耗下降，电池效率提高，基片减薄，光伏发电系统能量回收期有可能降到1年。若按其工作寿命为30年计算，则光伏发电系统的能量增值效应可以达到20倍以上
硅元素自始至终不发生化学反应，完全没有污染排放，是目前世界上最为清洁的多晶硅生产工艺。 　　“正如晶科自身表述的，原因可能出在管理疏忽上。”史珺告诉记者，一般硅片加工中的污染在两方面，一是切割硅片

全部能耗，在光伏电站建成以后，2年半即可全部实现能耗等量回收的对冲。随着太阳级硅材料能耗下降，电池效率提高，基片减薄，光伏发电系统能量回收期有可能降到1年。若按其工作寿命为30年计算，则光伏发电系统的
六个9）太阳能级多晶硅，99%以上硅元素自始至终不发生化学反应，完全没有污染排放，是目前世界上最为清洁的多晶硅生产工艺。正如晶科自身表述的，原因可能出在管理疏忽上。史珺告诉记者，一般硅片加工中的污染

的太阳能公司，净利润达到了6113.8万美元。虽然它的毛利率环比下降了近10个百分点，但是百分之36左右的毛利率在不景气的第二季度足以让其他企业汗颜。在多晶硅、硅片等上游产品价格不稳定的情况下
，薄膜光伏相较于晶硅光伏显示出了优势。同样，FirstSolar的摊薄每股收益也是所有企业中最高的，达到0.7美元。如分析师所说，在世界光伏产业格局变动的情况下，投资FirstSolar是一个稳妥的选择。但是

年。随着太阳级硅材料能耗下降（200kWh/kg-160kWh/kg），光伏电池效率继续提高（17%-22%），基片继续减薄，晶体硅光伏发电系统的能量回收期有可能降到1年。若按其工作寿命为30年计
“硅砂--冶金硅”的能耗：13kwh/kg； 　　EP2 为“冶金硅--多晶硅”的能耗 200kwh/kg（改良西门子法国内平均水平）； 　　EP3为“多晶硅--多晶硅片”的能耗9 kwh/kg

，光伏电池的厚度也很重要。薄的硅片(wafer)意味着较少的硅材料消耗，从而可降低成本。在查阅了大量国内外相关文献，并结合我国对晶体硅太阳电池技术开发的迫切需要，在制备太阳电池减反射膜(氮化硅薄膜)的工艺中
，对气体流量比、微波功率、沉积压强和温度对减反射膜性质的影响进行了研究，通过大量有效的工作及一系列工艺数据，得出了制作减反射膜，分析了氮化硅薄膜的相对最佳沉积参数和优化工艺。1 减反射膜原理在了解减

引进、技术改造和自主创新，这就保证了企业始终使用最先进的设备,应用最先进的技术，生产最具竞争力的产品。我们使用的硅片生产设备多线切割机已经换代五次，切割出的硅片厚度由早期的350微米减薄为现在的190

单位电量的价格优势继续扩大。 　 在过去的几年中，为了降低晶体硅太阳能电池的成本，用来制作电池片的硅片的厚度已经从原来的300um减薄到了180um，孙海燕博士认为，纵然随着明年多晶硅产能的释放