砷化镓

Epitaxy)设备，在硅基板上沉积化合物半导体单晶层，但材料的确实成份却是个不能说的秘密。Kleiman透露该秘密材料并非砷化镓，因为其1.45eV的能隙不足以在双接面组件中提供最佳转换效率

、化合物（砷化镓GaAs、硫化镉CdS、硒铟铜CuInSe、碲化镉CdTe、铜铟镓硒CIGS）太阳能电池，有机半导体太阳能电池等，这类电池占据7%的市场份额。 太阳能市场巨大 据世界能源组织

（砷化镓GaAs、硫化镉CdS、硒铟铜CuInSe、碲化镉CdTe、铜铟镓硒CIGS）太阳能电池，有机半导体太阳能电池等，这类电池占据7%的市场份额。 太阳能市场巨大 据世界能源组织（IEA
的半导体材料多为单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜，此外还有硫化镉、砷化镓等。太阳能光-化学转换主要通过可逆的化学反应来实现太阳能转换成化学能的过程。由于吸热或放热可逆的化学反应所需要的温度较高，所以也可以用

太阳电池产业化基地以现有三结砷化镓太阳电池为技术基础，开发高效聚光砷化镓太阳电池。据了解，聚光太阳电池将使聚光电池的光电转换效率在聚光条件下超过33%，达到国际先进水平，填补国内空白。另外，聚光太阳电池将比目前太阳能电池体积减小一倍以上，且发电效果提高一倍以上。

。 聚光太阳电池产业化基地以现有三结砷化镓太阳电池为技术基础，开发高效聚光砷化镓太阳电池。据了解，聚光太阳电池将使聚光电池的光电转换效率在聚光条件下超过33%，达到国际先进水平，填补国内空白。另外，聚光太阳电池将比目前太阳能电池体积减小一倍以上，且发电效果提高一倍以上。

IMEC实现了在锗衬底上制造单结砷化镓（GaAs）太阳能电池，转换效率创记录地达到24.7％。该转换效率由美国国家可再生能源实验室（NREL）测量及认证。GaAs太阳能电池可用于卫星太阳能面板和地表太阳能聚集器。

比利时研究机构IMEC宣布通过使用在锗基板(germanium substrates)上的砷化镓(GaAs)太阳能电池，取得了达24.7%的光电转换效率。该太阳能电池是ESA-IMAGER

。太阳电池的光电转换效率分为两种。一种是小尺寸（例如1cm2）的研究开发水平：单晶硅太阳电池24.7%，多晶硅太阳电池19.8%，非晶硅太阳电池15%，铜铟硒太阳电池18.8%，砷化镓太阳电池33%，有机纳米

，并且也易于大规模生产，但由于镉有剧毒，会对环境造成严重的污染。砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率可达28%，GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率，抗辐照能力强，对

太阳能电池是一种光有效应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂