砷化镓
的光电转换效率分为两种。一种是小尺寸（例如1cm2）的研究开发水平：单晶硅太阳电池24.7%，多晶硅太阳电池19.8%，非晶硅太阳电池15%，铜铟硒太阳电池18.8%，砷化镓太阳电池33%，有机纳米
。 晶体吸收式光纤温度传感器利用砷化镓晶片吸收光谱随温度变化的特性实现温度的实时测量。该项产品具有不受电磁干扰，瞬时响应，测温精确等特点，可广泛应用于油田、油库、电力系统、大型粮仓、化工、印染等一些易燃
、易爆和无法通过常规电测量方式进行温度监控的场所，有效地解决了在复杂、特殊环境条件下的实时温度监控问题。 专家鉴定委员会认为，该项目基于砷化镓晶体光谱吸收特性而成功研制的晶体吸收式光纤温度
中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器(KGCX2-SW-115)”于11月26日通过专家验收。 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料
投入。业者反映，夏普此举除了看好该领域未来的发展潜力，也为了平衡结晶硅领域多晶硅缺料问题所带来的成长停滞问题。而夏普本身于太阳能领域的布局以传统结晶硅太阳能、非晶硅薄膜太阳能及聚光型的砷化镓太阳能为主。 但是，由于市场对薄膜市场未来的发展看法分岐，夏普大幅扩产的动作已引起广泛的讨论。
。 该联盟对于将成本降低到每平方公尺1000美元深具信心，不过也表示要实现50%转换效率的目标，光靠将结构从5层扩展到6层以及最佳化设计还不足够。目前只有军事和航天域才负担得起砷化镓太阳能电池，而要
一个适合这一波长的太阳能电池芯片中。之所以需要多个晶粒，是因为该技术结合了多种不兼容的半导体，包括单晶硅、砷化镓、砷化镓铟和氮化镓铟等。 VHESC项目首席研究员、电子工程教授Allen
ANADIGIC
S, Inc. (Nasdaq: ANAD) 今天在昆山高新技术产业园区
(KSND) 举行最新的一流六英吋砷化镓 (GaAs) 整合电
路晶圆制造厂奠基动工仪式，这是全市
：“昆山高新技术产业园
区非常荣幸能迎来 ANADIGICS 的这个项目。商用六英吋
砷化镓晶圆制造厂的加盟不仅显示我们对半导体行业的
兴趣日益增大，而且这对于昆山乃至中国来说都是历史
上的首次
GaAs太阳电池有很好的高温特性（为高电压低电流器件），通过聚光将显著提高电池电流输出，特别在实现高倍聚光后，可获得更高的功率输出。因此，以三结砷化镓太阳电池为主要部件的聚光太阳电池以其高效率（可达到40
；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜
环保节能股热翻天，发光二极管（LED）厂由于在制程与太阳能产业相近而纷纷投入，佰鸿工业董事长廖宗仁表示，将与全球最大的砷化镓磊晶厂KOPIN共同发展三五族聚化型的太阳能芯片，华上光电在开发三五族聚光
电跨入上游的磊晶，目前已研发的二种接口的转换效率已达25%，华上正朝三个接口的转换效率可达30%迈进。
佰鸿也将与全球最大的砷化镓磊晶厂KOPIN合作，发展太阳能相关的产品，廖宗仁表示，过去佰
；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低
