。
对于单晶硅片而言,在生长的过程中首先需要多晶硅料通过直拉法或区熔法形成单晶硅棒,其间原子排列有序;对于多晶硅片而言,则先需要多晶硅通过铸锭法形成多晶硅锭,其内部原子结构没有发生变化,仍为无序排列
(CZ 法)和区熔法(FZ 法)。CZ 法是利用旋转着的籽晶从坩锅中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称直拉法。目前国 内太阳电池单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。具体方法为将多晶硅料置于坩锅
优点,1)每公斤颗粒硅的平均电耗仅为18度,而采用改良西门子法、冷氢化工艺生产出来的多晶硅平均电耗则需要60度电;2)颗粒硅更加纯净;3)在直拉单晶多次加料时,可以用于直接加料,不需要破碎。下游多家
合作方已完成颗粒硅单晶拉制批量应用,但是短期处于小批量应用状态,而且面临产能较低和成本高问题,未来如果产能成功扩大,下游大批量应用,届时将是硅料环节新一轮竞赛起点。
2.2、 硅片、电池片、组件大规模
仅为18度,而采用改良西门子法、冷氢化工艺生产出来的多晶硅平均电耗则需要60度电,平均每公斤硅料节省了42度电;2)纯度高,硅烷杂质容易分离并且不含氯,颗粒硅更加纯净;3)在直拉单晶多次加料时,由于
国产化、关键材料替代以及FBR装置长周期运行,产品满足主流市场单晶硅料需求,下游多家合作方已完成颗粒硅单晶拉制批量应用。颗粒硅优点明显值得重视,但是短期处于小批量应用状态,而且面临产能较低和成本高问题
改良西门子法、冷氢化工艺生产出来的多晶硅平均电耗则需要60度电,平均每公斤硅料节省了42度电;2)纯度高,硅烷杂质容易分离并且不含氯,颗粒硅更加纯净;3)在直拉单晶多次加料时,由于颗粒硅形似球状,流动性
FBR装置长周期运行,产品满足主流市场单晶硅料需求,下游多家合作方已完成颗粒硅单晶拉制批量应用。颗粒硅优点明显值得重视,但是短期处于小批量应用状态,而且面临产能较低和成本高问题,未来如果产能成功扩大
。所谓DW,即金刚石线切割晶片技术,是将金刚石采用粘接和电镀的方式固定在直拉钢线上对硅棒进行高速往返切削得到硅片的一种切割技术。
在业界看来,中环股份DW智慧化工厂项目的核心亮点并不在于DW,而在于
2020年三季度便有望放量的210mm硅片需求,中环股份也启动了可再生能源太阳能电池用单晶硅材料和超薄高效太阳能电池用硅单晶切片产业化工程五期项目(下称五期项目)。
据悉,五期项目已于2019年末开始
集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等,直径呈不断增大趋势,公司已投资建设大直径直拉硅生产基地,在8英寸硅片领域公司已经成为国内领先企业,同时承担国家02专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》填补
直拉法、区熔法技术的硅片制造商,从已披露产能规划看,未来将以6英寸-8英寸区熔硅片及8英寸-12英寸直拉硅片为主。公司多元化的单晶硅生产规划契合市场发展趋势,直拉硅片为市场主流,主要应用为半导体
唯一同时具备直拉法、区熔法单晶硅量产技术的领先者,同时承担国家 02 专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制》填补国内高压大功率 IGBT 芯片产品制造需求
募投项目量产 8 英寸/12 英寸
国际硅片龙头发展路径,硅片产业链的完整性和协同性有利于提升硅片企业的竞争优势,中环股份协同晶盛机电共筑大硅片产业链,其产品包括 12 英寸、8 英寸直拉法硅片、8 英寸和 6 英寸的区熔法硅片;是国内
设备与产业协会
WSTS指世界半导体贸易统计组织
半导体材料指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料
单晶硅指整块硅晶体中的硅原子按周期性排列的单晶硅,是用高纯度多晶硅为原料,主要通过直拉法和区熔法
取得
抛光片指对切割研磨后再经过抛光获得的硅片
直拉法指切克劳斯基(Czochralski)方法,一种制备单晶硅的主要方法,利用旋转着的籽晶从坩埚中提拉制备出单晶
区熔法指一种利用悬浮区熔技术制备
、聚能电力、拓日新能源、阳光电源等一大批国内外知名光伏制造企业,初步形成了多晶硅单晶硅切片太阳能电池电池组件完整的光伏制造产业链,聚集了逆变器、光伏玻璃、石英坩埚、铝边框、支架等一批配套光伏产业,形成
,通过短短几年的发展,亚洲硅业(青海)有限公司建成了单套系统年处理四氯化硅11万吨的规模,实现了全闭路循环生产,成为国内单套年处理量最大的冷氢化装置;青海鑫诺光电科技有限公司经过直拉单晶热场改造项目
改良西门子法(冷氢化工艺)生产太阳能级/电子级多晶硅12吨/年。
2、在硅片制造环节
直拉单晶炉拉制单晶过程中,一般用氩气做保护。直拉单晶炉尽管形式不同,但主要由:炉体、电气部分、热系统、水冷系统
、真空系统和氩气装置五大部分组成。
液态氩气储在液氩罐内,液氩罐是双层的,中间抽成真空。液态氩气纯度较高,才能满足拉制硅单晶的要求。液氩作为一种保护气体包围在单晶硅和多晶硅的液面周围,可以保护单晶硅