提高单晶率、降低籽晶成本后,将给产业带来重要突破。在可预见的将来,硅将是光伏产业的主要基础材料。直拉硅单晶的氧浓度降低和光衰减抑制期待更好解决,铸造单晶技术的单晶率、位错、籽晶问题依然有待突破
产品单瓦发电量高于常规多晶组件0.79%,高出直拉单晶组件2.76%。此外,铸锭单晶光伏电站低投资成本、低衰减,可带来LCOE共计4.7%的降幅。
提高单晶率、降低籽晶成本后,将给产业带来重要突破。 杨德仁指出,直拉硅单晶效率较高且晶格完整,质量较好,但同时由于能耗高,对应的成本也相对较高。从目前的技术现状来看,直拉单晶主要使用的是重复拉晶
自己的雄心:将产业带入新的技术竞争时代,重新确立单晶市场格局。 从1969年做直拉硅单晶开始,中环股份到现在已经拉了50年的单晶。8月16号,且拭目以待,这家五十而立且积累了多年半导体技术势能的企业将如何向行业发起一轮技术降维打击。
不用坩埚,避免了来自坩埚的污染,而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯,所以单晶的纯度高,同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2~3个数量级,很好解决光衰问题。
但区熔单晶的工艺比
直拉单晶困难得多,目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量全球第三,国内第一。对于现有直拉单晶大厂来说,转向区熔法涉及设备全面改造,因此目前处理单晶的衰减多以掺镓替代掺硼为主
、直拉单晶、黑硅协同进击。保利协鑫2020年一季度铸锭单晶、直拉单晶产能将分别达到15吉瓦、8吉瓦,和多晶黑硅产品构成三足鼎立布局。在未来产品布局中,具备性价比优势的高效多晶产品仍然占据30%左右的市场
。分析师预计,在光伏行业,未来多晶黑硅、铸锭单晶、直拉单晶将三分天下。
鑫单晶硅片如今每月实际产能达3000万片,销量逐月递增50%,且以强劲势头挺进。目前鑫单晶的不少下游客户已投入百万片级量产;多家
,同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2~3个数量级,很好解决光衰问题。 但区熔单晶的工艺比直拉单晶困难得多,目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量
。保利协鑫首席技术官万跃鹏博士作《铸锭技术的新应用时代-铸锭硅单晶》主旨报告。
万跃鹏博士主要观点认为:
协鑫铸锭单晶硅片(鑫单晶)通过近几年的技术研发和进步,已经成为市场上被接受的有竞争力的产品
,市场占有率正在快速提升。
鑫单晶组件产品外观已经完全消除了晶花问题。
鑫单晶PERC电池量产效率在相同产线上与直拉单晶相比差距小于0.3%绝对效率。
鑫单晶PERC组件在72片全档位型号
硅单晶技术进行创新,开始研制3英寸及以上区熔硅单晶、CFZ硅单晶、变径区熔硅单晶、无旋涡缺陷区熔硅单晶,为后来中环与隆基成为单晶领军企业打下了坚实基础。 1986年,中环股份与北京605厂一起给日本松宫
开发进展顺利。 截至2018上半年,大直径区熔硅单晶技术已经产业化,8英寸区熔硅片实现量产;内蒙12英寸直拉单晶样品试制已实现,晶体部分已进入工艺评价阶段;天津8英寸半导体抛光片项目产能已陆续释放
业务及市场同样诱人的半导体业务上。 大硅片项圄逐步落地,为后续增长提供动能公司大直径区熔硅单晶技术已经产业化,8英寸区熔硅片实现量产。内蒙地区建立了8-12英寸半导体直拉单晶研发、制造中心扩充大直径直拉