氮化镓
/DC转换。 鉴于减小尺寸是一个优先事项(因此微逆变器和功率优化器将适合光伏系统的后端)，太阳能逆变器制造商正在采用氮化镓(GaN)技术，因为它能够以更高频率切换。较高频率减小了微逆变器和太阳能优化器
)，太阳能逆变器制造商正在采用氮化镓(GaN)技术，因为它能够以更高频率切换。较高频率减小了微逆变器和太阳能优化器应用中的大型磁性元件的尺寸。 DC/AC级或次级通常使用H桥拓扑;对于微逆变器，轨道电压
三个子电池由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(指元素周期表中的Ⅲ族与Ⅴ族元素相结合生成的化合物半导体，主要包括镓化砷、磷化铟和氮化镓等)相互叠加而成，每个子电池能够特别有效地转化一定波长范围内的太阳光。这些高效的
太阳能电池的关键是要找到合适的材料， 研究小组成员Kin Man Yu指。
其挑战在于以中介剂来平衡组合， 他补充说。
最新的太阳能电池是一种多波段半导体，由高度不匹配的砷化镓氮化合金组成。该合金的成分
类似镓砷化物，是目前最常见的半导体之一。
科学家用氮气取代合金的一些砷原子，形成可对整个太阳光谱敏感的第三中间能带。
此外，该合金可通过有机金属化学气相沉积而成。这是一种常见的半导体生产过程，其中
)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。半导体量子结构不仅不解决问题，还会引发新的问题。
图6：底
到量产标准。
图7：磷化镓铟/硅基双结叠层太阳能电池的结构示意图
第二个选项是采用钙钛矿太阳能电池作为顶电池。近年来，全球各地的实验室在钙钛矿电池研发方面都取得了重大进展。钙钛矿单结电池的
人员还未找到合适的材料。碲化镉(CdTe)本来有望成为候选材料，但其禁带过窄，只有1.4eV。非晶硅和铜镓硒(CGS)的禁带宽度在1.7eV左右，比较合适，但其转换效率太低。半导体量子结构不仅不解
示意图。
目前，普遍认为该技术在经济性上未达到量产标准。
图7：磷化镓铟/硅基双结叠层太阳能电池的结构示意图
第二个选项是采用钙钛矿太阳能电池作为顶电池。近年来，全球各地的实验室在
正泰新能源的研发团队紧跟双面发电时代步伐，经过半年的研发，实现P型单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。
高效高双面率P型双面技术对比
掺镓硅片基底
正泰P型双面
背钝化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供保障。
双面制绒
双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率
单晶双面电池正面平均转换效率21.83%，双面率达81.2%。
高效高双面率P型双面技术
掺镓硅片基底
正泰P型双面背顿化电池采用掺镓硅片技术解决产品的光致衰减，为产品长期稳定性提供
氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。
背面网板设计、浆料选择
双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商
;氮氧化硅(SiONx)早期Solar Word以及现在的爱旭、润阳等;氧化铝(AlOx)现在主流厂家都采用氧化铝和氮化硅叠层膜的背钝化膜结构。
氧化铝和氮化硅叠层膜叠层结构作为P型PERC背面
钝化膜的优势，主要体现在三个方面。
氧化铝具有较高的固定负电荷密度Q10E13/cm3，可以得到优异的场钝化效果;氮化硅膜富含氢原子，可以在热处理过程中对表面和体内的缺陷进行化学钝化;氧化铝薄膜带隙
带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用（前沿技术类，国拨经费控制额800万元，企业牵头）研制碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子芯片和器件，研究SiC和GaN器件在不同功率等级、电压范围
