氮化镓

氮化镓,索比光伏网为您提供氮化镓相关内容,让您快速了解氮化镓最新资讯信息。关于氮化镓更多相关信息,可关注索比光伏网。

英飞凌以8.5亿美元的现金收购Wolfspeed来源:英飞凌科技股份公司 发布时间:2018-02-02 14:04:18

Swoboda指出:去年经过慎重考虑和尽职调查,我们认为将Wolfspeed出售给英飞凌,对我们的股东、员工和客户而言是最明智的决定。我们相信,被英飞凌收购之后,Wolfspeed能够更好地让其独具特色的碳化硅和氮化技术实现商业化。

Kyma Technologies, Inc.授权GT Advanced Technologies使用等离子体汽相淀积技术来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:03:19

索比光伏网讯:该解决方案扩大了GT可用于生产低成本、开盒即用发光二极管(LED)晶圆的氮化技术产品供应新罕布什尔州梅里马克,2014年3月1日 GT Advanced Technologies
(TM))可以在氮化沉淀前,在晶圆上沉积一层高质量的生长型初始层氮化铝。GT 计划将等离子体汽相淀积工具商业化,以配合其正在研发的氢化物气相外延(HVPE)系统,这个组合将可以让LED生产商在图案化

阳光电源曹仁贤:光伏逆变的最新技术及展望来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:01:33

可以看看从明年开始,这种氮化碳化硅的器件,三电平多电平的转换电路,主平现在有1000兆的公共机的主平也在做这样的设备,使得这个设备做起来变得非常容易。我预测下一代逆变设备基本上是无损,无损的话转换效率

日本在InGaN中形成量子点,为利用所有波长太阳光开辟道路来源:日经BP社 发布时间:2018-01-23 16:51:01

索比光伏网讯:日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布,通过在太阳能电池材料氮化铟镓(InGaN)中形成多重量子点(中间带),成功利用了波长为450~750nm的太阳光。InGaN以前只能利用
认为,如果能够以调整了In成分的窒化氮化铟镓(InxGa1-xN)混晶为中心形成中间带,不仅可利用能量等于带隙能量的光,还可利用波长更长的光、也就是太阳光光谱的主要构成波长绿色及黄色等可见光来提高

金刚线切割+黑硅+PERC,高效多晶电池效率提升绕不过的三道坎儿!来源:摩尔光伏 发布时间:2017-06-28 23:59:59

氮化硅2.1,氧化铝1.6;背面的叠层结构可以实现:①光从光密到光疏介质时在一定角度都可以形成全反射,增大光反射的几率。②PREC结构中间多一层叠层膜,增加红光吸收减少穿透损失。目前PERC电池的制备以P
或N型单晶硅为主,对硅片衬底的电阻率和少子寿命提出了更高的要求。一般要求少子寿命高于100us。其光致衰减(LID)与普通单晶硅电池无明显差别,如果采用掺镓(Ga)技术,能够进一步降低LID效应

移动能源深度解析 科技蓝海谁可一骑绝尘来源:CCTIME飞象网 发布时间:2017-03-01 23:59:59

国Solar Junction公司在铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)两种主流技术方面取得了重要突破。在CIGS技术上,汉能的柔性CIGS薄膜太阳能组件全面积量产转换效率为16.5%-17
的四结GaAs太阳能电池的研发。目前在GaAs衬底上用稀释氮化物作为底电池,生产的高效率三结GaAs太阳能电池在太空环境的转换效率已超过31%。这是个蓝海新型科技实现突破的意义,首先体现在广阔的

效率刷新 钙钛矿太阳能电池效率达20%左右来源:科技日报 发布时间:2016-11-11 09:57:47

像坚固的碎石底层那样起到基础稳固作用,两个钙钛矿层像沉积在其上的更细的砾石层和砂层,六方氮化硼层能允许两种钙钛矿材料一起工作,而氮化层就像用于道路顶部的沥青层。每一种轮流吸收太阳光中的不同波长或颜色

钙钛矿太阳能电池效率创新高 达20%左右来源:科技日报 发布时间:2016-11-11 09:25:01

凝胶像坚固的碎石底层那样起到基础稳固作用,两个钙钛矿层像沉积在其上的更细的砾石层和砂层,六方氮化硼层能允许两种钙钛矿材料一起工作,而氮化层就像用于道路顶部的沥青层。每一种轮流吸收太阳光中的不同波长或

【前沿】钙钛矿太阳能电池效率创新高来源: 发布时间:2016-11-11 08:20:59

碎石底层那样起到基础稳固作用,两个钙钛矿层像沉积在其上的更细的砾石层和砂层,六方氮化硼层能允许两种钙钛矿材料一起工作,而氮化层就像用于道路顶部的沥青层。每一种轮流吸收太阳光中的不同波长或颜色,进而融合

Silicon Labs隔离驱动器推动高速电源传输系统发展来源:索比光伏网 发布时间:2016-03-04 11:48:46

单位体积功率(W/mm3)。为了最大限度地提高功率密度,许多设计人员为他们的设计方案选择更快的开关频率。电源系统使用高功率半导体开关,例如基于硅的MOSFET和基于新型氮化(GaN)和碳化硅(SiC