氮化镓

程度上依赖于高密高可靠技术创新。高密高可靠性能保障离不开材料科学、散热技术、工程技术等多种维度技术的升级。比如，高密度碳化硅、氮化镓等材料科学的兴起等。趋势三 组件级电力电子(MLPE)光伏系统向着更

产品制造，老年医疗器械和康复辅具制造，老年人智能与穿戴设备制造等）368.有机高分子材料生产：锂离子电池隔膜；高新技术有色金属材料及其产品生产：化合物半导体材料（砷化镓、磷化镓、磷化铟、氮化镓）369.高

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块，进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
、氮化镓、蓝宝石衬底外延片等化合物材料发展。支持高端高密度封装基板、高频高速覆铜板、类载板等发展，推动高端树脂、玻纤布、铜箔等原材料研发和应用。(八)加大新技术新产品推广应用提升太阳能光伏发电效率和消纳

效评估、诊断和能效提升服务，引导用户提升IT能效水平。行动6：促进通信基站能效提升推动基站主设备节能技术应用推广。推进硬件节能技术应用，采用高制程芯片、利用氮化镓功放等提升设备整体能效。逐步引入液体

在未来绿色能源技术的全球领导地位，同时助力美国2050年实现净零排放目标。本次资助主要聚焦十三大主题领域，具体内容如下： 1、建筑能效 研究新型基于氮化镓(GaN)半导体的直接发射绿光的发光二极管
的热能设备，它将同时提高服务器冷却能源效率，并提供可直接用于建筑供暖与制冷的高质量热能。⑧开发能量高达数十兆电子伏特的氮化硼快中子探测器(FND)，用于反应堆高温高辐照的极端环境中直接监测反应堆和燃料

度电成本下降的压力越来越大，单模块功率不断提升的同时仍需延续易维护特性，因此对于功率密度提升的要求越来越高。随着碳化硅，氮化镓等宽禁带电子半导体器件以及先进控制算法等技术的突破，预计未来5年，逆变器

。 第三代半导体材料碳化硅(SiC)的机会来了。 半导体迭代的区别只取决于其材料。如果说第一代硅材料半导体已经接近完美晶体，那么以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备更优异的材料物理特性，为进一步提升

工艺水平，提升电子级硅材料及硅片自主配套能力。整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极推进碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术研发和产业化，着重布局从衬底和外延材料、器件设计