氮化镓
人员指出,用氮化铟和氮化镓双层制成的多级太阳能电池可以达到理论极限最大效率的50%,为此,一层需要调整到1.7eV的禁带,而另一层需调整到1.1eV的禁带。如果能制成层数很多的太阳能电池,在每层中都
在可再生能源技术及产品展会PVJapan2014（东京有明国际会展中心，2014年7月30日～8月1日）上，各公司纷纷展示了采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等新一代功率半导体的光伏发电用逆变器
产中追求高能效的目标。在材料、工艺流程、技术和系统专业知识上进行各种创新的大规模研发项目是菲拉赫基地扩展的又一支柱，有力支持了新一代高能效产品的开发。该项目的重点放在氮化镓和碳化硅等创新型基片在MEMS
纳米线的晶体结构的方法。实验室的其他研究成果还包括在石墨烯材料上生长半导体纳米线等，并且已将研究成果转化为商业运作，由HelgeWeman等主要研究人员共同建立了CrayoNanoAS公司。Weman先生表示公司下一步将开展生长用于白光LED的氮化镓纳米线的业务。
(EKZ) 系统目前用于高纯度矽单晶长晶技术。而在专用的PVA TePla 真空炉中，可以对氮化镓磊晶制程中使用的Susceptors实现回收利用。子公司Metrology Technologies的多种
了国内最大的太阳能光伏产品、高档磁性材料、新型储能材料、特种传感器、SOI材料及高性能氮化钒添加剂的制造企业和国家科技部、北京市太阳能光伏电池示范生产单位及湖南省太阳能光伏产业、磁性材料产业和新型储能
退火炉、LED合金/活化炉、真空退火炉、真空烤盘炉、砷化镓晶体生长炉VGF/VB(HGF/HB) 、区熔炉、液相外延炉、蓝宝石退火炉、锑化镓晶体(LEC)单晶炉、气氛炉、马弗炉、真空炉、太阳能闭管
机构正式认证，转换效率达到为15.7 ％，成为大面积最高转化记录。日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为
回收期短，无环境污染，质量轻，制造成本低，生产自动化，透光性、弱光发电效应好，节省空间，技术上具备更大提升空间。中国最大的太阳能企业汉能集团旗下子公司Solibro发布消息称，其实验室生产的铜铟镓
硅、氧化硅、多晶硅等）、氧化扩散（包括退火合金含工艺及快速退火工艺等）、真空烧结等工艺。半导体工艺设备覆盖三代半导体材料--硅、砷化镓、氮化镓等，高性能磁性材料真空设备（钐钴、钕铁硼等）。同时承担了部分
(HGF/HB)、区熔炉、液相外延炉、蓝宝石退火炉、锑化镓晶体(LEC)单晶炉、气氛炉、马弗炉、真空炉、太阳能闭管软着陆扩散炉，太阳能管式PECVD（等离子体增强化学气相沉积设备）、石英脱羟炉、真空钎焊炉
日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。InGaN以前只能利用波长更短的
物质及材料研究机构的研究小组注意到，GaN的结构与InN相同，而且工作波长范围包含了太阳光的所有波长。该研究小组认为，如果能够以调整了In成分的窒化氮化铟镓（InxGa1-xN）混晶为中心形成中间带
日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。InGaN以前只能利用波长更短的
，如果能够以调整了In成分的窒化氮化铟镓（InxGa1-xN）混晶为中心形成中间带，不仅可利用能量等于带隙能量的光，还可利用波长更长的光、也就是太阳光光谱的主要构成波长绿色及黄色等可见光来提高转换效率。此次
