索比光伏网讯:PECVD设备为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0的空气中，其对光的反射率可达到30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射，但是还是很难将反射率降得很低，尤其是对多晶硅，使用各向同性的酸腐蚀液，如果腐蚀过深，会影响到PN结的漏电流，因此其对表面反射降低的效果不明显。因此，考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质膜，以降低表面的反射，在工业化应用中，SiNx膜被选择作为硅表面的减反射膜，SiNx膜的折射率随着x值的不同，可以从1.9变到2.3左右，这样比较适合于在3.8的硅和1.0的空气中进行可见光的减反射设计，是一种较为优良的减反射膜。
PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。北极星太阳能光伏网编辑按照已知销售商数量(非静态指标)列出了国内前十名光伏PECVD设备企业，仅供参考。
1、中国电子科技集团公司第四十八研究所
1964年5月24日，塬国防科委第14研究院北京新工艺研究室和公安部湖南实验工厂合并组建了长沙半导体工艺设备研究所，即中国电子科技集团公司第48研究所。48所技术力量雄厚，专业门类齐全，拥有设计、制造、总装、测试等系统平台，是我国主要以集成电路、半导体照明、太阳能光伏、磁性材料、新型储能材料、特种传感器和SOI材料等技术为主的骨干科研生产机构，是我国唯一以离子注入机为主的微电子装备供应商、以MOCVD设备为主的光电子装备供应商，是我国最大的太阳能光伏制造装备供应商、最大的磁性材料制造装备供应商。
48所太阳电池制造装备具备了"整线交钥匙"工程的能力，国内市场占有率达到80%以上，扩散炉、刻蚀机、PECVD等装备批量供应国际着名的无锡尚德太阳能电力有限公司等;磁性材料制造装备的国内市场占有率也达70%以上，氮气氛保护推板窑批量供应浙江横店东磁股份有限公司、浙江天通控股股份有限公司等上市企业。同时，48所利用自身的装备和工艺优势，不断开发具有自主知识产权的装备上伸下延产品，成为了国内最大的太阳能光伏产品、高档磁性材料、新型储能材料、特种传感器、SOI材料及高性能氮化钒添加剂的制造企业和国家科技部、北京市太阳能光伏电池示范生产单位及湖南省太阳能光伏产业、磁性材料产业和新型储能材料产业的牵头单位。
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