氢氯化反应
扩大规模的途径。这一领域在多晶硅生产流程中开发得更多，因为反应器常常是工艺的心脏。主要的反应步骤是产生TCS的硅的氢氯化反应，跟着是在流化床或西门子反应器中的TCS氢还原以淀积硅。若用硅烷作为前驱物，而
采用氢稀释的硅烷作为反应物，因为氢气不但能降低等离子体中的电子温度，还能有效阻止反应物的聚合，同时氢稀释非晶硅膜的光致衰退效应也相应降低。本实验从少子寿命角度出发，研究了氢稀释度对钝化效果的影响。图4
（HCl）和冶金级工业硅为原料，制取三氯氢硅（SiHCl3），再利用三氯氢硅进行氢还原生产出多晶硅。在生产过程的前期反应中，会产生大量四氯化硅（SiCl4）、二氯二氢硅（SiH2Cl2）等副产物。而
通过氢化装置，能将四氯化硅加氢反应，生成三氯氢硅回到系统循环使用。另外，多晶硅生产过程中产生的氢气（易燃易爆）和氯化氢（强酸性气体），都可以在系统中作为中间原料循环使用。而三氯氢硅提纯后，无法利用的氯
来看，保利协鑫太阳能级多晶硅的生产成本目前已经是全球领先）。a.降低TCS生产成本冷氢化工艺需要的反应温度在550℃左右，远低于热氢化需要的反应温度1000～1250℃，而且硅粉被氯化氢气体氯化的次要
冶金硅（纯度要求在99.5%以上）与氯化氢（HCl）合成产生便于提纯的三氯氢硅气体（SiHCl3，下文简称TCS），然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积（CVD）将高纯度的TCS转化
(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度
硅是有毒气体，倾倒土壤寸草不生。但真实情况是四氯化硅遇水会反应生成盐酸，土壤酸化板结，当然寸草不生。但是改良西门子法的核心就是通过氢化装置，能将四氯化硅加氢反应生成三氯氢硅回到系统循环使用，或者将
寸草不生。但是改良西门子法的核心就是通过氢化装置，能将四氯化硅加氢反应生成三氯氢硅回到系统循环使用，或者将四氯化硅做为原料生产白炭黑等化工产品。该人士介绍说，多晶硅生产过程中有氢气易燃易爆，有氯化氢是
进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2 流化床法硅烷法硅烷热分解法硅烷(SiH4)是以四氯化
