氢气制备

，电耗更低，非常吸引人。制造非晶硅太阳电池的方法有多种，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷
，用射频电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜就沉积在被加热的衬底上。若硅烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。这种制备非晶硅薄膜的工艺，主要

更低，非常吸引人。制造非晶硅太阳电池的方法有多种，最常见的是辉光放电法，还有反应溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法和热分解硅烷法等。辉光放电法是将一石英容器抽成真空，充入氢气或氩气稀释的硅烷，用射频
电源加热，使硅烷电离，形成等离子体。非晶硅膜就沉积在被加热的衬底上。若硅烷中掺人适量的氢化磷或氢化硼，即可得到N型或P型的非晶硅膜。衬底材料一般用玻璃或不锈钢板。这种制备非晶硅薄膜的工艺，主要取决于

事实上，多晶硅生产的三废成分简单，处理容易。多晶硅还原尾气主要含有氢气、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅等成分;废水为废气淋洗水、纯水制备排水等， 含盐酸，呈酸性;废渣为硅粉、二氧化硅、石灰石渣等，无害

三废处理措施 事实上,多晶硅生产的三废成分简单,处理容易。多晶硅还原尾气主要含有氢气、氯化氢、三氯氢硅、四氯化硅等成分;废水为废气淋洗水、纯水制备排水等, 含盐酸,呈酸性;废渣为硅粉、二氧化硅

它的效率低得无以复加，为什么最终还是会令硅黯然失色呢？希弗拉说，就算它绝对达不到16%这个最大值，但依然是价格低廉的，可以大批量地进行制备。归根结蒂，重要的不是效率而是每瓦电力的成本。卡茨说。他表示
，但它在纳米尺度下经过诱导达到50℃时就会这么做。这对于按多种规格携带氢来说是一个大有前途的进展。 虽说大有前途，但未必有这个实际需求。就地存储、燃烧起来像篝火的简装氢气罐也有异曲同工之妙。太阳

无以复加，为什么最终还是会令硅黯然失色呢?希弗拉说，就算它绝对达不到16%这个最大值，但依然是价格低廉的，可以大批量地进行制备。归根结蒂，重要的不是效率而是每瓦电力的成本。卡茨说。他表示，即使效率只有
诱导达到50℃时就会这么做。这对于按多种规格携带氢来说是一个大有前途的进展。 虽说大有前途，但未必有这个实际需求。就地存储、燃烧起来像篝火的简装氢气罐也有异曲同工之妙。太阳储能公司经理布赖恩

、腐蚀、粉尘等危险、有害因素。主要有：１）氢气制备：电解槽、氢、氧贮罐等，火灾爆炸、触电、机械伤害。２）氯化氢合成：氯化氢合成炉、氯气、氢气缓冲罐等，火灾爆炸、中毒、触电。３）三氯氢硅合成：三氯氢硅合成

产中的主要危险、有害因素，另外，还存在触电、机械伤害、腐蚀、粉尘等危险、有害因素。主要有： １）氢气制备：电解槽、氢、氧贮罐等，火灾爆炸、触电、机械伤害。 ２）氯化氢合成：氯化氢合成炉、氯气
多晶硅产业有着迅猛的发展。1000 t以上级别多晶硅生产装置陆续建成。多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险

质，制备太阳能级多晶硅的技术路线。 　多晶硅*生产危害 多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有： 1)氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或

棒和阳光用二氧化碳生产液态甲醇，电化学效率达95%，还避免了出现过电压现象。研究人员发现黑碳致暖效应约是头号温室气体二氧化碳的三分之二。杜克大学使用金和氧化铁纳米粒子组合的新催化剂，产生氢气时可将
复合体作为催化剂，在常压和60摄氏度到90摄氏度下取得最佳制氢效果。波鸿鲁尔大学光生物技术研究所通过半化学合成的手段，制备出具有生物活性氢化酶。弗劳恩霍夫研发高效CIGS薄膜电池8月26日，位于北海