本征吸收
组件所采用。Sanyo和Sunpower公司生产的PV组件多年来是这一规则的例外，他们采用n型硅片作为基材得到高效率电池：Sanyo是HIT（具有本征层的异质结）电池，Sunpower是IBC（叉指背
长响应提高了。这一提高也许是由于几个因素：背面复合减少、背面内部反射提高及自由载流子吸收减少。背面照明取得的IQE图表说明，长波长与短波长二者的响应均有提高。背面IQE蓝色响应中的大增益是背面复合减少
非 晶硅，所以不能像单晶硅或非晶硅那样直接形成pn结，而必须做成pin结。因此，如何制备获得缺陷密度很低的本征层，以及在比较低的工艺温度下制备非晶硅含量很低的微晶硅薄膜，是今后进一步提高微晶硅
企业财务风险分析结论 太阳能光伏企业财务外部风险外部环境对企业的生存和发展的影响是不言而喻的，这就要求企业跳出本企业经营的地方小圈子，放眼外部大环境，全面地了解本行业、本国甚至全球环境的信息，未雨绸缪，预防
的本征层，以及在比较低的工艺温度下制备非晶硅含量很低的微晶硅薄膜，是今后进一步提高微晶硅太阳能电池转换效率的关键。（2）染料敏化TiO2太阳能电池染料敏化太阳能电池原理上的诸多优势：由于几乎所有
分析结论太阳能光伏企业财务外部风险外部环境对企业的生存和发展的影响是不言而喻的，这就要求企业跳出本企业经营的地方小圈子，放眼外部大环境，全面地了解本行业、本国甚至全球环境的信息，未雨绸缪，预防财务风险的
TCO层和背表面场结构。这种无本征非晶层的初始Si薄膜晶体太阳电池的转换效率在0.63cm2已达到6.8%。我们进一步用TEM测量研究界面质量，确认其界面结构减少了界面的缺陷密度。优化ECR-CVD系统
可能比用PECVD制备的更好，这是由于在ECR-CVD系统中掺杂层与硅衬底间的界面上离子轰击较少。我们优化了用ECR-CVD制备的高质量c-SiOx:H薄膜的掺杂浓度。这样，无本征非晶层时平面异质结
索比光伏网讯:三洋双面HIT电池结构图晶硅/非晶硅异质结结构：增加开路电压，提高转换效率光伏" title="光伏新闻专题"光伏技术：HIT电池工艺制程1.硅片清洗制绒2.正面用PECVD制备本征
非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制备本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜4.在两面用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜5.丝网印刷制备电极光伏技术：HIT电池的优点1.HIT电池具有较高的开路电压
技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构，主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层（i层）。其制备温度很低（100～200℃）。日本科尼卡公司在
的推动作用。非晶硅薄膜太阳能电池（见图1）采用普通浮法玻璃作为载体。在玻璃上涂有透明导电膜TCO，主要成分是SnO2。光穿过透明的TCO被电池吸收，要求有较高的透过率；另一方面，TCO是导电的，可作
沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积
索比光伏网讯:HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚5～10nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面
(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池抑制了p型、i型
题，1993年和刘汉元一起受到李鹏总理接见的十多位"全国杰出青年企业家"，而今只有他、恒基伟业的张征宇、海王张思民等几个人的企业还活着，其他的早已烟消云散这是为什么？他说："任何一件事，只要你想清楚了
一种材料。当多晶硅的纯度达到6个9(99.9999%)以上的时候，把它切成薄片接上导线即可制成太阳能电池组件，对着阳光，硅分子中的电子就会吸收阳光的能量，连续高速运动起来，从而形成电流。阳光越强烈，电流
征宇、海王张思民等几个人的企业还活着，其他的早已烟消云散……
这是为什么？他说："任何一件事，只要你想清楚了再去做，没有不成功的。"换言之，通威活到现在，是因为每一步都源于刘的"想透"？他举了几个
太阳能电池组件，对着阳光，硅分子中的电子就会吸收阳光的能量，连续高速运动起来，从而 形成电流。阳光越强烈，电流也越大越强。
这就是太阳能光伏发电的基本原理。而且清洁、永续，不像石油、火电、水电、核电
