本征吸收
（heterojunctionwithintrinsicthinlayer带有本征薄层的异质结技术）、美国Sunpower公司支持的IBC（interdigitatedbackcontact）技术以及荷兰能源研究中心支持的MWT
非晶硅本征层（即没有掺杂的区域）时参入适量的锗元素，制作成非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结器件。非晶硅锗不仅具有非晶硅的高吸收系数，同时又具有微晶硅对长波段吸收的作用，因此非晶硅锗是非常理想的薄膜太阳能
代替第二结的非晶硅会更好的解决光致衰减效应，同时又增加对长波段光的吸收来提高器件的转换效率，但昂贵的设备价格却使得微晶硅的大规模生产受到了限制。另一种提高硅基薄膜电池效率的方法是在沉积非晶硅本征层（即
非晶硅本征层（即没有掺杂的区域）时参入适量的锗元素，制作成非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结器件。非晶硅锗不仅具有非晶硅的高吸收系数，同时又具有微晶硅对长波段吸收的作用，因此非晶硅锗是非常理想的薄膜太阳能
复合电池转化。因此，非晶/微晶复合叠层能够吸收利用更多的太阳光，提高转换效率，即将成为薄膜电池的主流产品。2.导电性能TCO导电薄膜的导电原理是在原本导电能力很弱的本征半导体中掺入微量的其他元素，使
Oxygen in Silicon
ME391-0310——利用稳态表面光电压测试方法测量非本征半导体中少数载流子扩散长度的方法Test Method for Minority Carrier
MF1188-1107——利用短基线红外吸收法测量硅中间隙氧含量的方法Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared
转换效率为16.8%。HIT是指Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，本征薄膜层异质结构。该工艺是在P型氢化非晶硅和n型硅衬底之间增加一层非掺杂的本征氢化
能
TCO导电薄膜的导电原理是在原本导电能力很弱的本征半导体中掺入微量的其他元素，使半导体的导电性能发生显著变化。这些微量元素被称为杂质，掺杂后的半导体称为杂质半导体。氧化铟锡（ITO）透明导电玻璃
光伏电池的前电极。但随着光吸收性能要求的提高，TCO玻璃必须具备提高光散射的能力，而ITO镀膜很难做到这一点，并且激光刻蚀性能也较差。铟为稀有元素，在自然界中贮存量少，价格较高。ITO应用于太阳能电池时
研制红外探测器的碲镉汞红外本征光吸收光谱；获得最具有直接物理意义的碲镉汞禁带宽度和组分、温度的关系式，被国际上称为褚—徐—汤表达式……他取得的一些科研成果引起了世界同行的关注。褚君浩担任红外
更多的光激发载流子。1.3 CdS簿膜电学特性 一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，在300℃-350℃之间，将In扩散入CdS中，把本征CdS变成n-CdS，电导率可达
