晶片切割设备

，保利协鑫成功发布了TS系列黑硅硅片新品，并于2017年11月进一步开发了单面黑硅工艺。金刚线切割技术和湿法黑硅技术的突破，使得金刚线切高效多晶片+黑硅+PERC的组合，全面实现1+1+13的技术效果，成为
PERC技术的火爆。金善明称，黑硅技术不仅解决了金刚线切多晶硅片反射率过高的问题，还能附带电池效率的提升。目前，全国湿法黑硅设备有200台左右，超过百条产线，产能25吉瓦以上。仅保利协鑫一家就拥有26条

硅片清洗作为制作光伏电池和集成电路的基础，非常重要，清洗的效果直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性。硅片是从硅棒上切割下来的，硅片表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键
劣化、H2O会加剧硅表面的腐蚀。清洗硅片不仅要除去硅片表面的杂质而且要使硅片表面钝化，从而减小硅片表面的吸附能力。高规格的硅晶片对表面的洁净度要求非常严格，理论上不允许存在任何颗粒、金属离子、有机粘附

切除是将硅棒在塑性区域内切除，同时在被切割的过程中，硅材料形成塑性切割，这也就产生了切削。 游离磨料多线切割以两种方式除去硅材料：去除脆性断裂和塑性流动的去除。脆性断裂前端以颗粒形式裂纹移除，晶片表面

)。 数据来源：公开资料整理 ⑤运营成本下降。金刚线切割的设备占用资本、空间占用、人力和电力占用均有下降，整个生产流程更加简化，从而降低运营成本。 正是因为有上述优势，而且销售价格最近几年持续下降
金刚线采购额约合人民币 2.68 亿元。因此，单晶硅市场份额的提升有利于拉动金刚线的市场需求。 ②蓝宝石切割用金刚线市场概况 蓝宝石产业链包括上游的长晶设备制造商、原材料及耗材提供商、蓝宝石晶体生产

。大量研发团队已经通过实验证明AI2O3薄膜或是AI2O3/SiNx介质叠层能大幅度改善钝化效果，尤其是对于P型硅表面，从而替代常用的高温方法，后者将硅片放置于高温热氧工艺生长设备上进行混合气氛退火以
(PECVD)方法的AI2O3沉积设备的出现以及针对光伏工业的适应性改造，已有相当多的工作(例如Kessels&Putkonen等的论文及其引文)投入到了AI2O3薄膜钝化PERC电池背部的研究当中

原创做黑硅多晶的，在2011年立项，12年开始购入设备。果然黑硅的纳米陷光效应得以显现，能够使得一个60W组件效率提升2-3W，但显然幅度低于预期。在2015年金刚线切片进入了光伏人的视野，由于金刚线切
完的多晶片因为表面太光滑没有办法做制绒，这显然和黑硅制绒相悖，使得金刚线技术没能在第一时间叠加黑硅技术。这时阿斯特公司副总提出，本来用来黑硅制绒的方法，同样适用于金刚线制。阿特斯公司经过大约半年的时间

单晶硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从树脂板上脱离下来，将胶条去除后，将硅片清洗干净。清洗设备主要是预清洗机(脱胶机)和清洗机。预清洗机的主要清洗流程为：上料-喷淋-喷淋-超声清洗-脱胶-清水
氧化作用，晶片表面的有机物被分解成CO2、H2O而被去除。此清洗工艺目前已经有硅片厂家采用此工艺处理清洗的金刚线切割单晶硅片，硅片在国内和台湾等电池厂家批量使用未有制绒发白问题的投诉。也有电池厂家也有

理想的状态，多晶片切割的线材消耗量和时间消耗量都要落后于单晶硅片。 这种差距是难以弥补的 在预设金刚线价格为0.1元/米的情况下，2018年单晶硅片单张切片成本可以做到0.35元/张，而多晶硅片
从而十分有利于光线的吸收，所以单晶金刚切硅片完全不影响单晶电池的制绒过程。 而对于多晶硅片，则没这么幸运，多晶片的酸制绒工艺并不有利于降低硅片反射度，所以对于金刚线切割生产的多晶硅片需要额外叠加“黑硅

硅晶片设备生产 (一)硅片生产设备梳理：单晶炉等核心设备已实现国产化 半导体硅片的生产流程包括拉晶滚磨线切割倒角研磨腐蚀热处理边缘抛光正面抛光清洗检测外延等步骤。其中拉晶、研磨和抛光是保证半导体